返回顶部

集成电路/BFG425W
商品型号:BFG425W

参考起售量(pcs)参考价格
品牌:NXP(恩智浦)
封装:-
货期:30天
已售出: 22710个
库存数量:0 个(可订货)

  • 商品名称:BFG425W
  • 商品品牌:NXP(恩智浦)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    BFG425W

  • 封装规格:-
  • 商品编号:NXP183103009
  • 商品重量:0.000100kg
BFG425W中文资料
BFG425W中文资料第69页精选内容: 70 恩智浦半导体RF手册 第 16 版一种颠覆性技术,为射频功率放大器设定了新的性能界限如果独立市场研究声明成功,GAN产品 2014年销售额将超过300台.这只有在GAN才能实现通过主流半导体公司提供,恩智浦是第一个做到这一点的公司.那么,GAN是什么呢?和射频功率应用?简而言之,GAN进一步增加在SI LDMOS中的效率和功率密度性能大部分应用这可以用约翰逊的数字来量化优异(FOM) - 重要射频性能的组合变量具有SI的基线1,并导致GAN的FOM为了说明这个问题,砷化镓是另外一个常见的问题 RF中使用的复合材料具有1.44的FOM.有了这么高的 FOM评级,GAN确实代表了一项突破性的技术. GAN产品被称为高电子迁移率晶体管 (HEMT),这个名字可以捕捉到一个固有的好处 GAN:高电子漂移速度.这些晶体管是耗尽型设备,即通常处于开启状态的设备,而不需要施加栅极偏压.一个负门将需要偏置来关闭晶体管.这个偏好不是直截了当的,但在恩智浦,我们已经完成了解决方案(不只是单个组件),包括一个尝试并测试了偏置电路.我们也提供连续的申请支持产品的整个生命周期. GAN的另一个优点是它是一个非常坚硬的结构承受非常高的温度.恩智浦的氮化镓晶体管将被指定为最高温度250°C,相比 SI LDMOS为225°C.需要特殊的软件包来支持如此高的温度.在这方面,恩智浦的GAN客户受益于我们在RF电源产品方面30年的传统,以及我们的优势大型工业基地.作为GAN供应商,我们提供卓越的服务在产品可靠性和成本方面,给予我们的客户很高的评价对供应链的信心程度.这是什么的一部分需要把GAN带到主流.首批恩智浦GAN产品将是无与伦比的宽带放大器用于要求高RF性能的应用横跨3.5 GHZ的各种频率.恩智浦的第一个新一代GAN工艺是针对产品运行而设计的从50V电源电压,提供最佳的效率和线性.产品将采用行业标准包装足迹让客户能够采用恩智浦的
BFG425W关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*BFG425W中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

共10页,到第