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集成电路/BSP33
商品型号:BSP33

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品牌:ST(意法半导体)
封装:-
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  • 商品名称:BSP33
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    BSP33

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181409272
  • 商品重量:0.000100kg
BSP33中文资料
BSP33中文资料第2页精选内容:热数据 R thj-amb ? R thj-tab ?热阻结 - 环境马克斯热阻结汇集标签马克斯 62.5 8 o C / W o C / W ?安装在陶瓷基板面积= 30 x 35 x 0.7 mm 电气特性(T case = 25 o C除非另有规定)符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 我 CBO收集器切断 当前(I E = 0) V CB = -60V V CB = -60V T j = 150 C -100 -50 nA的 μA V (BR)CBO集电极基击穿电压 (IE = 0) 我 C = -100 μA为BSP30 / BSP31用于BSP32 / BSP33 -70 -90 V V V (BR)首席执行官 *收集器发射器击穿电压 (I B = 0) I C = -10 mA为BSP30 / BSP31用于BSP32 / BSP33 -60 -80 V V V (BR)CES集电极 - 发射极击穿电压 (V BE = 0) 我 C = -10 μA为BSP30 / BSP31用于BSP32 / BSP33 -70 -90 V V V (BR)EBO发射基击穿电压 (I C = 0) 我 C = -10 μA -5 V V CE(sat) *收集器发射器饱和电压 I C = -150mA I B = -15 mA 我 C = -500毫安 I B = -50 mA -0.25 -0.5 V V V BE(sat) *基地发射器饱和电压 I C = -150mA I B = -15 mA 我 C = -500毫安 I B = -50 mA -1 -1.2 V V h FE *直流电流增益为BSP30 / BSP31 我 C = -100 μA V CE = -5V I C = -100mA V CE = -5V 我 C = -500毫安 V CE = -5V用于BSP32 / BSP33 我 C = -100 μA V CE = -5V I C = -100mA V CE = -5V 我 C = -500毫安 V CE = -5V 10 40三十三十 50 50 120 300 f T过渡频率 I C = -50mA V CE = -10V f = 35MHz 100兆赫 C CBO集电极基电容 我 E = 0 V CB = -10V f = 1MHz 20 pF的 C EBO发射基电容 我 C = 0 V EB = -0.5V f = 1MHz 120 pF的 打开开启时间 I C = -100mA I B1 = -I B2 = -5mA
BSP33关联型号
机译版中文资料(1/4) 英文原版数据手册(1/4)

*BSP33中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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