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集成电路/DS1312
商品型号:DS1312

参考起售量(pcs)参考价格
品牌:DALLAS
封装:DIP
货期:30天
已售出: 321个
库存数量:0 个(可订货)

  • 商品名称:DS1312
  • 商品品牌:DALLAS
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    DS1312

  • 封装规格:DIP
  • 商品编号:HCKWQ0350
  • 商品重量:0.000100kg
DS1312中文资料
1的11 091404特征 §将CMOS SRAM转换为非易失性记忆 §无条件写保护SRAM时 V CC 超出容差 §自动切换到电池备份 当 发生 V CC 电源故障时供电 §监视锂电池的电压提供即将发生的高级警告电池故障 §在低电平时表示电池电量不足电池警告输出信号 §可选5%或10%电源失效检测 §节省空间的8引脚DIP和SOIC封装 §可选的16引脚SOIC和20引脚TSSOP版本在电源故障时重置处理器发生并保持处理器在复位期间系统启动 §工业温度范围-40°C至 + 85°C引脚分配 PIN描述 V CCI - + 5V电源输入 V CCO - SRAM电源输出 V BAT - 备用电池输入 CEI - 芯片使能输入 CEO - 芯片使能输出 TOL - V CC 容差选择 BW - 电池警告输出 (露天排水) RST - 重置输出(漏极开路) GND - 地面 NC - 无连接描述带电池监视器的DS1312非易失性控制器是一款可解决此应用的CMOS电路将CMOS RAM转换为非易失性存储器的问题.监测输入功率,宽容的条件.当检测到这种情况时,禁止芯片使能以完成写入保护,并打开电池为RAM提供不间断电源.特殊电路采用低漏电CMOS工艺,可在极低的电池电压下提供精确的电压检测消费. DS1312带锂电池的非易失性控制器电池监视器 WWW.DALSEMI.COM 1 2 3 4 20 19 18 17五 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 NC V CCI RST NC NC BW NC CEO NC CEI NC V CCO NC V BAT NC NC TOL NC NC GND DS1312E 20引脚TSSOP 1 2 3 4 8 7 6五 GND TOL V BAT V CCO V CCI BW CEO CEI DS1312S-2 8引脚SOIC (150密耳) 1 2 3 4 8 7 6五 GND TOL V BAT V CCO V CCI BW CEO CEI DS1312 8引脚DIP (300密耳) 1 2 3 4 16 15 14 13五 6 7 89 10 11 12 NC V CCO NC V BAT NC TOL NC GND NC V CCI RST NC BW CEO N
DS1312关联型号
机译版中文资料(1/11) 英文原版数据手册(1/11)

*DS1312中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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