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集成电路/DS2045Y-100
商品型号:DS2045Y-100

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品牌:DALLAS
封装:-
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  • 商品名称:DS2045Y-100
  • 商品品牌:DALLAS
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    DS2045Y-100

  • 封装规格:-
  • 商品编号:CYDOM185120258
  • 商品重量:0.000100kg
DS2045Y-100中文资料
DS2045Y-100中文资料第10页精选内容:读取模式只要我们(写入,写入),DS2045就执行读取周期使能)无效(高),CE(芯片使能)有效 (低).由17个地址指定的唯一地址输入(A0到A16)定义了131,072字节中的哪一个数据将被访问.有效的数据将可用于 在 ACC 之后有 8个数据输出驱动器 (存取时间)之后最后的地址输入信号是稳定的,提供CE和OE(输出使能)访问时间也得到满足.如果CE和OE访问时间不满足,则数据访问必须从后来发生的SIG- NAL(CE或OE)并且限制参数是T CO FOR CE或T OE 用于OE而不是地址访问.写模式无论何时CE,DS2045都执行写周期 WE信号在地址输入后有效(低电平)是稳定的.后来发生的CE或WE下降沿将决定写周期的开始.写周期由CE或之前的上升沿终止我们.所有地址输入必须始终保持有效写周期.我们必须回到最高状态 最小恢复时间(T WR )在另一个周期之前可以开始. OE控制信号应保持不变,在写周期期间TIVE(高)以避免总线争用.但是,如果输出驱动程序已启用(CE 和OE激活),那么我们将禁用 ODW 输出从其下降的边缘.数据保留模式 DS2045AB提供了全面的功能 V CC 大于4.75V,写保护在4.5V. 该 DS2045Y为V CC 提供全面的功能大于4.5V,写保护电压为4.25V.数据是 没有额外 的V CC 保持支持电路. NV静态RAM不断MONI- 电源V CC . 如果电源电压衰减,NV SRAM自动写保护自己.所有输入变得“不在乎”,并且所有数据输出都变高 阻抗. 随着V CC 降至大约2.7V以下 (V SW ),电源开关电路连接锂电池能量来源到RAM保留数据.在上电期间, 当V CC 上升到V SW 以上时 ,进行电源切换 电路将外部V CC 连接 到RAM,吸收锂能源.正常的RAM操作 可以在V CC 超过V TP 后恢复 T REC的 持续时间 .电池充电 当V CC 大于V TP时 ,一个内部稳压器给电池充电. UL认证的充电器电路包括短路保护和温度 - 用于按需充
DS2045Y-100关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*DS2045Y-100中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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