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集成电路/GW30NC120HD
商品型号:GW30NC120HD

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品牌:ST(意法半导体)
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  • 商品名称:GW30NC120HD
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    GW30NC120HD

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181408303
  • 商品重量:0.000100kg
GW30NC120HD中文资料
GW30NC120HD中文资料第5页精选内容: STGW30NC120HD电气特性 5/13表6打开/关闭(感性负载)符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 t d(on) t r (di / dt)开启延迟时间目前上涨时间开启电流斜率 V CC = 960V,I C = 20A R G =10Ω,V GE = 15V, Tj = 25℃(见图17) 29 11 1820 NS NS A /μs的 t d(on) t r (di / dt)开启延迟时间目前上涨时间开启电流斜率 V CC = 960V,I C = 20A R G =10Ω,V GE = 15V, Tj = 125℃(见图17) 27 14 1580 NS NS A /μs的 t r (V off ) t d ( 关闭 ) t f关电压上升时间关闭延迟时间当前下降时间 V CC = 960V,I C = 20A R G =10Ω,V GE = 15V, Tj = 25℃(见图17) 90 275 312 NS NS NS t r (V off ) t d ( 关闭 ) t f关电压上升时间关闭延迟时间当前下降时间 V CC = 960V,I C = 20A R G =10Ω,V GE = 15V, Tj = 125℃(见图17) 150 336 592 NS NS NS表7开关能量(感性负载)符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 Eon (1) E 关闭 (2) E ts 1. Eon是图2中测试电路中使用典型二极管时的导通损耗.如果提供IGBT一个带有辅助二极管的封装,辅助二极管被用作外部二极管. IGBT和二极管在相同的温度(25°C和125°C) 2.关断损耗还包括集电极电流的尾部导通开关损耗关闭开关损耗总切换损失 V CC = 960V,I C = 20A R G =10Ω,V GE = 15V, Tj = 25℃(见图17) 1660 4438 6098 μJ μJ μJ Eon (1) E 关闭 (2) E ts导通开关损耗关闭开关损耗总切换损失 V CC = 960V,I C = 20A R G =10Ω,V GE = 15V, Tj = 125℃(见图17) 3015 6900 9915 μJ μJ μJ表8集电极发射极二极管符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 V f正向导通电压如果= 20A,Tj = 25℃如果= 20A,T
GW30NC120HD关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*GW30NC120HD中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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