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集成电路/IRF830
商品型号:IRF830

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品牌:NXP(恩智浦)
封装:-
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  • 商品名称:IRF830
  • 商品品牌:NXP(恩智浦)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    IRF830

  • 封装规格:-
  • 商品编号:NXP183113921
  • 商品重量:0.000100kg
IRF830中文资料
<a href = "/items/irf830-cn-1-id-226431.html">IRF830</a>中文资料第1页精选内容:飞利浦半导体产品规格 POWERMOS晶体管 IRF830雪崩能量额定特征符号快速参考数据 ?重复性雪崩额定 ?快速切换 V DSS = 500V ?高热循环性能 ?低热阻一世 D = 5.9A [R DS(ON) ≤1.5Ω一般描述钉扎 SOT78(TO220AB) N沟道,增强模式销描述场效应功率晶体管,打算用于离线切换 1门模式电源,电视和电脑显示器电源, 2排水直流到直流转换器,电机控制电路和一般目的 3资源切换应用.标签排水 IRF830是在提供的 SOT78(TO220AB)常规含铅包装.限制值根据绝对最大系统(IEC 134)限制数值符号参数条件 MIN. MAX.单元 V DSS漏源电压 ? J = 25?C到150?C - 500 V V DGR漏极 - 栅极电压 ? J = 25?C到150?C; R GS = 20KΩ - 500 V V GS栅源电压 - ±30 V一世 D连续漏极电流 ? MB = 25?C; V GS = 10 V - 5.9一个 ? MB = 100?C; V GS = 10V - 3.7一个一世 DM脉冲漏极电流 ? MB = 25?C - 24一个 P D总耗散 ? MB = 25?C - 125 W ^ ? J ,T STG操作连接点和 - 55 150 C储存温度范围雪崩能量限制值根据绝对最大系统(IEC 134)限制数值符号参数条件 MIN. MAX.单元 ?如非重复性雪崩放松感性负载,我 AS = 4.2A; - 287兆焦耳能源 ? P = 0.21MS; 雪崩前的 T J = 25℃; V DD≤50 V; R GS =50Ω; V GS = 10V; 参考到图17 ? AR重复的雪崩能量 1一世 AR = 5.9 A; T P =2.5μS; T J 之前 - 10兆焦耳雪崩=25?C; [R GS =50Ω; V GS = 10V;参考图18一世 AS ,我 AR重复和不重复 - 5.9一个雪崩电流 D G小号 12 3标签 1个脉冲宽度和重复率由T限制 J 最大. 1999年3月 1 1.000版本
IRF830关联型号
机译版中文资料(1/7) 英文原版数据手册(1/7)

*IRF830中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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