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MOS(场效应管)/IRFB4110PBF 管装
商品型号:IRFB4110PBF PDF数据手册)

起售量(pcs)价格
1~9件¥15.12/件 (折合1管756元)
10~29件¥13.17/件 (折合1管658.5元)
30~99件¥9.26/件 (折合1管463元)
100~499件¥7.5/件 (折合1管375元)
500 件以上¥7.24/件 (折合1管362元)
已售出: 7950件 (1管有50件) 货期:1-2天
数量:
X 0 = 0.0 库存数量:122 件(可订货)

  • 商品名称:IRFB4110PBF 管装
  • 商品品牌:IR
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    IRFB4110PBF

  • 封装规格:TO-220(TO-220-3)
  • 商品编号:B1061464
  • 商品重量:0.000100kg
IRFB4110PBF中文资料
优点 L 改进的门,雪崩和动态DV / DT耐用性 L 完全特性化的电容和雪崩 SOA L 增强的体二极管DV / DT和DI / DT能力 L 无铅 L 符合ROHS标准,无卤素 HEXFET? 功率MOSFET应用 L SMPS中的高效率同步整流 L 不间断电源 L 高速电源开关 L 硬开关和高频电路 GD小号门排水资源绝对最大额定值符号参数单位 I D @ T C = 25°C漏极连续电流,VGS @ 10V(硅有限)一个 I D @ T C = 100°C 漏极连续电流,V GS @ 10V(SILICON LIMITED) I D @ T C = 25°C 漏极连续电流,V GS @ 10V(WIRE BOND LIMITED) 我是 DM脉冲漏电流 D P D @ T C = 25°C最大功率耗散 W ^线性降额因子厕所 V GS栅源电压 V的DV / DT峰值二极管恢复 F V / NS T J操作连接点和 C T STG存储温度范围焊接温度,持续10秒 (距离壳体1.6MM)安装扭矩,6-32或M3螺钉雪崩特征 E AS(热限制)单脉冲雪崩能量 ?兆焦耳 我 AR雪崩电流广告一个 E AR重复性雪崩能量 G兆焦耳热阻符号参数典型.最大.单位 RθJC结到外壳 ? --- 0.402 RθCS外壳至平板,平面润滑表面 0.50 --- °C / W RθJA结到环境 ? --- 62 300最大. 180 ? 130 ? 670 120 190参见图14,15,22A,22B 370 5.3 -55到+ 175 ±20 2.5 10磅 XIN(1.1NXM) IRFB4110PBF小号 D G TO-220AB D小号 D G形成数量 IRFB4110PBF TO-220管 50 IRFB4110PBF基本部件号包装类型标准包可订购零件号码 1 WWW.IRF.COM? 2014 INTERNATIONAL RECTIFIER提交数据表反馈 2014年4月28日 V DSS 100V R DS(ON) 典型值. 3.7米 Ω最大. 4.5米 Ω I D(SILICON LIMITED) 180A C I D(PACKAGE LIMITED) 120A
IRFB4110PBF关联型号
机译版中文资料(1/9) 英文原版数据手册(1/9)

*IRFB4110PBF中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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