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集成电路/L6382D
商品型号:L6382D

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品牌:ST(意法半导体)
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  • 商品名称:L6382D
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    L6382D

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181405747
  • 商品重量:0.000100kg
L6382D中文资料
L6382D中文资料第5页精选内容: L6382D引脚设置 5/22 9LSG低端驱动器输出.该引脚必须连接到半桥的栅极,桥式低端功率MOSFET.连接在这个引脚和电阻之间的电阻功率MOS门可以用来降低峰值电流.内部20K Ω电阻向地面避免杂散和不受欢迎的 MOSFET导通.图腾柱输出级能够以峰值电流驱动电源 120mA电源和120mA接收器. 10 VCC IC的信号部分和驱动器的电源电压. 11 BOOT高端栅极驱动浮动电源电压.自举电容器连接在此引脚和引脚13(OUT)之间由内部馈电同步自举二极管与低端栅极驱动器同相驱动.这个专利结构通常取代外部二极管. 12 HSG高端驱动器输出.该引脚必须连接到一半的门桥高端功率MOSFET.一个电阻连接在这个引脚和功率MOS门可以用来降低峰值电流.内部20K Ω电阻向OUT引脚避免杂散和不需要的 MOSFET导通图腾柱输出级能够驱动功率MOS峰值 120mA电流和120mA电流. 13 OUT高端栅极驱动浮地.高端栅极驱动器的当前回报当前.仔细布局这个引脚的连接,以避免过大的尖峰地下的. 14 NC未连接 15 HVSU高压启动.流入该引脚的电流对电容充电连接在引脚Vcc和GND之间以启动IC.当芯片进入时保存模式下,发生器在开启和保存模式之间循环开关电压.芯片在工作模式下工作时,发生器关闭当Vcc电压低于UVLO阈值时,它将被重新使能. 根据所需的V REF 引脚电流,该引脚可以连接到直接或通过电阻对电源电压进行整流. 16 NC高压间隔.该引脚没有内部连接,并且符合安全规定(爬电距离) PCB. 17 HEG HEI块的输出;这个驱动程序可以用来驱动所用的MOS孤立的细丝预热.内部20K Ω电阻接地避免杂散和不需要的MOSFET导通. 18 CSO电流检测比较器输出,兼容TTL逻辑信号;中工作模式下,引脚被强制为低电平,而每当OC比较器触发(CSI> 0.5V典型)引脚锁存为高. 19 CSI电流检测比较器的输入,仅在工作模式
L6382D关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*L6382D中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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