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集成电路/L9903TR
商品型号:L9903TR

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品牌:ST(意法半导体)
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  • 商品名称:L9903TR
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    L9903TR

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181408929
  • 商品重量:0.000100kg
L9903TR中文资料
L9903TR中文资料第13页精选内容: 13/17 L9903 3.8短路检测 H桥的S1和S2引脚的输出电压由比较器监视以检测对地短路或电池.如果电压降低,激活的外部高压MOS晶体管将被关闭 比较器阈值电压V S1TH 和V S2TH 长于短电流检测时间t SCd . 该晶体管保持关断状态,诊断输出变为低电平,直到DIR或PWM输入状态为止改变.其他MOS晶体管的状态不会改变.外部低端MOS晶体管将 如果电压降超过比较器阈值电压V S1TH 和V S2TH 的时间超过,则 关断 短路检测时间t SCd . 晶体管保持关断状态,诊断输出变为低电平直到DIR或PWM输入状态改变.其他MOS晶体管的状态不会改变. 3.9诊断输出(DG)如果监视以下错误堆栈,则诊断输出会提供实时错误检测:过压关断,欠压关断和短路关断.开漏输出如果发生错误,内部上拉电阻为低电平. 3.10自举电容(CB1,CB2) 为了确保外部功率MOS晶体管达到所需的R DSON ,一个最小栅源电压 5V的逻辑电平和10V的标准功率MOS晶体管必须得到保证.高端晶体管要求栅极电压高于电源电压.这是通过内部充电泵电路实现的与自举电容器组合.当高端MOS晶体管时,自举电容器被充电关闭,低位打开.当低侧切换为OFF时,带电的自举电容器能够提供高边功率MOS晶体管的栅极驱动器.为了有效地收取bootstrap的值电容应大于功率MOS管的栅极 - 源极电容,并遵守所需的PWM比. 3.11电荷泵电路(CP)如图6所示,使用外部N沟道MOS晶体管可以获得反向电池保护.在这种情况下,其漏极散装二极管提供了保护.输出CP旨在驱动这个tran- 电池电压高于电池电压以接通MOS并且用R DSON 旁路漏极体二极管 . 该 CP通过一个内部二极管和一个20k连接到VS Ω电阻. 3.12外部N沟道功率MOS晶体管(GH1,GH2,GL1,GL2)的栅极驱动器在EN中的高电平在DIR和PWM输入的控制下激活外部MOS的驱动器(见真相表格和驾驶顺序
L9903TR关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*L9903TR中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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