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FLASH/M25P16-VMN6TP 编带
商品型号:M25P16-VMN6TP PDF数据手册)

参考起售量(pcs)参考价格
1~9件¥3.61/件 (折合1盘9025元)
10~29件¥2.75/件 (折合1盘6875元)
30~99件¥2.6/件 (折合1盘6500元)
100 件以上¥2.45/件 (折合1盘6125元)
品牌:ST(意法半导体)
封装:SOIC-8_150mil
货期:1天
已售出: 7340件 (1盘有2500件)
库存数量:0 件(可订货)

  • 商品名称:M25P16-VMN6TP 编带
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:FLASH
  • 二级分类:FLASH
  • 商品型号:

    M25P16-VMN6TP

  • 封装规格:SOIC-8_150mil
  • 商品编号:A1010006
  • 商品重量:0.000175kg
M25P16-VMN6TP中文资料
M25P16-VMN6TP中文资料第12页精选内容:操作功能 M25P16 12/55 4操作功能 4.1页面编程要编程一个数据字节,需要两条指令:写使能(WREN),即一个字节和一个页面编程(PP)序列,它由四个字节加数据组成.这是 然后是内部程序循环(持续时间T PP ).为了扩展这个开销,页面编程(PP)指令允许多达256个字节一次编程(改变从1到0的位),只要它们连续在同一页的内存地址.为了优化时序,建议使用页面编程(PP)指令使用多个页面对所有连续的目标字节进行编程程序(PP)序列,每个序列只包含几个字节(参见PAGE程序(PP)和表15:AC特性(6级)). 4.2扇区擦除和批量擦除页面编程(PP)指令允许位从1复位到0.在此之前应用,内存的字节需要被擦除到全1(FFH).这可以通过使用扇区擦除(SE)指令,或一直实现一个扇区整个内存,使用批量擦除(BE)指令.这开始一个内部擦除周期(的 持续时间T SE 或T BE ).擦除指令前必须写入使能(WREN)指令. 4.3轮询写入,编程或擦除周期写入状态寄存器(WRSR),程序(PP)或擦除的进一步改进 (SE或BE)可以通过不等待最坏情况下的延迟(T W ,T PP ,T SE 或T BE )来实现. 该在状态寄存器中提供正在写入(WIP)位,以便应用程序可以监视它的值,轮询它建立以前的写周期,程序周期还是擦除周期完成. 4.4有功功率,待机功率和深度掉电模式当片选(S)为低电平时,器件被选中,并处于有功功率模式.芯片选择(S)为高电平时,器件被取消选择,但可以保持在有功功率模式,直到所有内部周期完成(编程,擦除,写入状态寄存器).该 设备进入待机模式. 器件功耗下降到I CC1 .深度掉电模式是在特定指令(深度掉电模式) 向下(DP)指令)被执行. 器件功耗进一步下降到I CC2 . 该设备保持此模式,直到另一个特定的指令(从深度释放掉电并读取电子签名(RES)指令)被执行.在深度掉电模式下,器件忽略所有的写入,编程和擦除操作说
M25P16-VMN6TP关联型号