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集成电路/M36W832TE
商品型号:M36W832TE

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品牌:ST(意法半导体)
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  • 商品名称:M36W832TE
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    M36W832TE

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181418643
  • 商品重量:0.000100kg
M36W832TE中文资料
M36W832TE中文资料第16页精选内容: M36W832TE,M36W832BE 16/64小号第二个锁定块中的块地址内部状态机并启动程序/擦除控制器.如果第二个总线周期不是写入擦除确认 (D0h),状态寄存器位b4和b5被置位该命令中止. 如果复位变为V IL, 擦除终止 . 作为数据完整性擦除操作时无法保证中止,块必须再次擦除.在擦除操作期间,内存将接受读取状态寄存器命令和Pro-克/擦除挂起命令,所有其他com- mands将被忽略.典型的擦除时间是表8给出了闪存编程,擦除时间和编程/擦除耐力周期.请参阅附录C,图30,删除流程图和伪码,建议使用流程图擦除命令.程序命令.内存数组可以按字编程.两个总线写周期需要发布程序命令.小号第一个巴士周期设立了该计划命令.小号第二个锁存地址和数据写入并启动编程/擦除控制器.在程序运行过程中,读取状态寄存器命令和编程/擦除挂起命令.典型的Pro-表8,Flash程序给出了克时间,擦除时间和编程/擦除耐力Cy-克莱斯. 如果复位进入V IL, 则编程中止 . 作为数据程序完整性不能保证操作被中止,包含的块内存位置必须被擦除,程序性.见附录C,图26,程序流程图和伪代码,为使用的流程图程序命令.双字节目命令.此功能提供提高编程吞吐量,写一页的两个相邻的单词在paral-这两个字只有地址才有区别 A0.编程时不应该尝试 V PPF 不在V PPH .三个总线写周期是必要的问题双字节程序命令.小号第一个巴士周期设置双字程序命令.小号第二个总线周期锁存地址和要写的第一个单词的数据.小号第三个总线周期锁存地址和地址第二个单词的数据被写入并开始编程/擦除控制器.读操作输出状态寄存器编程开始后的帐篷.程序- 如果重置进入V IL, 则中断 . 作为数据完整性当程序运行时不能保证,中止包含内存的块位置必须被擦除并重新编程.请参阅附录C,图27,Double Word Pro-克流程图和伪代码,图表使用该双字节目命令.四字程序命令.这个提供功能
M36W832TE关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*M36W832TE中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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