顶部

74系列逻辑芯片/MC74HC125ADR2
商品型号:MC74HC125ADR2 PDF数据手册)

参考起售量(pcs)参考价格
品牌:ON(安森美)
封装:SOIC-14_150mil
货期:1天
已售出: 4128件
库存数量:0 件(可订货)

  • 商品名称:MC74HC125ADR2
  • 商品品牌:ON(安森美)
  • 商品类别:74系列逻辑芯片
  • 二级分类:74系列逻辑芯片
  • 商品型号:

    MC74HC125ADR2

  • 封装规格:SOIC-14_150mil
  • 商品编号:ATT01579
  • 商品重量:0.000200kg
MC74HC125ADR2中文资料
MC74HC125ADR2中文资料第3页精选内容: MC74HC125A,MC74HC126A HTTP://ONSEMI.COM 3 直流电气特性 (电压参考GND)保证限额单元 V 125_C V 85_C - 55到 25 _C VCC V测试条件参数符号 IIN最大输入泄漏当前 VIN = VCC或GND 6 ±0.1 ±1.0 ±1.0 μA IOZ最大三态泄漏电流输出处于高阻状态 VIN = VIL或VIH VOUT = VCC或GND 6 ±0.5 ±5.0 ±10 μA ICC最大静态电源当前(每包) VIN = VCC或GND IOUT = 0μA 6 4 40 160 μA注:关于典型参数值的信息可以在安森美半导体高速CMOS数据手册的第2章中找到 (DL129 / D). 交流电气特性 (CL = 50 PF,输入TR = TF = 6.0 NS)保证限额符号参数 VCC V - 55到 25 _C V 85_C V 125_C单元 TPLH,效TPH1最大传播延迟,输入A到输出Y (图1和3) 2.0 3.0 4.5 6 90 36 18 15 115 45 23 20 135 60 27 23 NS TPLZ, TPHZ最大传播延迟,输出启用为Y (图2和4) 2.0 3.0 4.5 6 120 45 24 20 150 60三十 26 180 80 36 31 NS TPZL, TPZH最大传播延迟,输出启用为Y (图2和4) 2.0 3.0 4.5 6 90 36 18 15 115 45 23 20 135 60 27 23 NS TTLH, TTHL最大输出转换时间,任何输出 (图1和3) 2.0 3.0 4.5 6 60 22 12 10 75 28 15 13 90 34 18 15 NS CIN最大输入电容 - 10 10 10 PF的 COUT最大三态输出电容 (输出处于高阻状态) - 15 15 15 PF的注意:对于负载不超过50 PF的传播延迟以及典型参数值的信息,请参阅ON的第2章半导体高速CMOS数据手册(DL129 / D).典型@ 25 °C,VCC = 5.0V CPD功耗电容(每个缓冲器)*三十 PF的 *用于确定空载动态功耗:PD = CPD VCC2F + ICC VCC.有关负载考虑事项,请参阅第2章安森美
MC74HC125ADR2关联型号
机译版中文资料(1/8) 英文原版数据手册(1/8)

*MC74HC125ADR2中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

共8页,到第