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其他晶体管/MMBTH10LT1G 编带
商品型号:MMBTH10LT1G

起售量(pcs)价格
5~49件¥0.319/件 (折合1盘957元)
50~149件¥0.22/件 (折合1盘660元)
150~499件¥0.197/件 (折合1盘591元)
500~2499件¥0.176/件 (折合1盘528元)
2500 件以上¥0.168/件 (折合1盘504元)
已售出: 6514件 (1盘有3000件) 货期:1天
数量:
X 0 = 0.0 库存数量:2084 件(可订货)

  • 商品名称:MMBTH10LT1G 编带
  • 商品品牌:ON(安森美)
  • 商品类别:其他晶体管
  • 二级分类:其他晶体管
  • 商品型号:

    MMBTH10LT1G

  • 封装规格:SOT-23(SOT-23-3)
  • 商品编号:B1061466
  • 商品重量:0.000040kg
MMBTH10LT1G中文资料
<a href = "/items/mmbth10lt1g-cn-1-id-12093.html">MMBTH10LT1G</a>中文资料第1页精选内容: ?半导体元件工业有限责任公司,1994年 2016年10月 - 修订版6 1出版订单编号: MMBTH10LT1 / D MMBTH10L, MMBTH10-4L, SMMBTH10-4L, NSVMMBTH10L VHF / UHF晶体管 NPN硅特征 ? 适用于汽车和其他应用的S和NSV前缀要求独特的现场和控制变更要求;符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能 ? 这些器件为无铅,无卤素/无BFR且符合ROHS合规最大额定值评分符号值单元集电极 - 发射极电压 V CEO 25 VDC集电极 - 基极电压 V CBO三十 VDC发射极 - 基极电压 V EBO 3.0 VDC热特性特性符号马克斯单元器件总功耗 FR-5董事会(注1) T A = 25℃减免25以上 C P D. 225 1.8毫瓦毫瓦/ C热阻,结到环境(注1) RθJA 556 °C / W器件总功耗氧化铝基材(注2) T A = 25℃减免25以上 C P D. 300 2.4毫瓦毫瓦/ C热阻,结到环境(注2) RθJA 417 °C / W连接和存储温度范围 T J ,T STG -55到 +150 C强调超出最大额定值表中列出的值可能会损坏设备.如果超出这些限制中的任何一个,则设备功能不应该是假定可能会发生损坏,并且可能会影响可靠性. 1. FR-5 = 1.0×0.75×0.062英寸 2.氧化铝= 0.4×0.3×0.024英寸99.5%氧化铝设备包 运输 ?订购信息 MMBTH10LT1G SOT-23 (无铅) 3,000 /磁带和卷轴 MMBTH10LT3G, SMMBTH10-4LT3G SOT-23 (无铅) 10,000 /磁带和卷轴集电极 3 1基础 2辐射源 MMBTH10-4LT1G SOT-23 (无铅) 3,000 /磁带和卷轴 ?有关磁带和卷轴规格的信息,包括零件方向和胶带尺寸请参阅我们的磁带和卷轴包装规格小册子,BRD8011 / D.标记图 SOT-23(TO-236)案例318风格6 3EM M G G MMBTH10LT1G, NSVMMBTH10LT1G 3E4 M G G MMB
机译版中文资料(1/5) 英文原版数据手册(1/5)

*MMBTH10LT1G中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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