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其他晶体管/MMBTH10LT1G 编带
商品型号:MMBTH10LT1G

参考起售量(pcs)参考价格
5~49件¥0.302/件 (折合1盘906元)
50~149件¥0.227/件 (折合1盘681元)
150~499件¥0.214/件 (折合1盘642元)
500 件以上¥0.197/件 (折合1盘591元)
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23(SOT-23-3)
货期:1天
已售出: 6514件 (1盘有3000件)
库存数量:0 件(可订货)

  • 商品名称:MMBTH10LT1G 编带
  • 商品品牌:ON(安森美)
  • 商品类别:其他晶体管
  • 二级分类:其他晶体管
  • 商品型号:

    MMBTH10LT1G

  • 封装规格:SOT-23(SOT-23-3)
  • 商品编号:B1061466
  • 商品重量:0.000040克
MMBTH10LT1G中文资料
?Semiconductor Components Industries,LLC,1994 2016年10月 - 修订版6 1出版物编号: MMBTH10LT1 / D MMBTH10L, MMBTH10-4L, SMMBTH10-4L, NSVMMBTH10L VHF / UHF晶体管 NPN硅特征 ? 汽车和其他应用的S和NSV前缀需要独特的网站和控制变更要求; AEC-Q101合格和PPAP能力 ? 这些器件是无铅,无卤素/无BFR,符合RoHS标准合规最大评分评分符号值单元集电极 - 发射极电压 V CEO 25 VDC集电极 - 基极电压 V CBO三十 VDC发射极基极电压 V EBO 3.0 VDC热特性特性符号马克斯单元总器件耗散 FR-5板(注1) T A = 25℃降至25以下 C P D 225 1.8毫瓦毫瓦/ C热阻,交界处(注1) RθJA 556 °C / W总器件耗散氧化铝基板(注2) T A = 25℃降至25以下 C P D 300 2.4毫瓦毫瓦/ C热阻,交界处(注2) RθJA 417 °C / W连接和存储温度范围 T J ,T stg -55到 +150 C超过“最大额定值”表中列出的值可能会损坏设备.如果超出这些限制,设备功能不应该是假设可能会发生损坏,可能会受到影响. FR-5 = 1.0×0.75×0.062英寸 2.氧化铝= 0.4×0.3×0.024英寸的99.5%氧化铝设备包 运送 ?订购信息 MMBTH10LT1G SOT-23 (无铅) 3,000 /卷带 MMBTH10LT3G, SMMBTH10-4LT3G SOT-23 (无铅) 10,000 /卷带集电极 3 1基础 2辐射源 MMBTH10-4LT1G SOT-23 (无铅) 3,000 /卷带 ?有关磁带和卷盘规格的信息,请包括零件定向和胶带尺寸请参阅我们的卷带包装规格小册子,BRD8011 / D.标记图 SOT-23(TO-236)案例318样式6 3EM M G G MMBTH10LT1G, NSVMMBTH10LT1G 3E4 M G G MMBTH10-04LT1G 3E
MMBTH10LT1G关联型号
机译版中文资料(1/5) 英文原版数据手册(1/5)

*MMBTH10LT1G中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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