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开关电源芯片/NCP1200D60R2G 编带
商品型号:NCP1200D60R2G PDF数据手册)

参考起售量(pcs)参考价格
1~9件¥4.92/件 (折合1盘12300元)
10~29件¥3.51/件 (折合1盘8775元)
30~99件¥3.17/件 (折合1盘7925元)
100~499件¥2.86/件 (折合1盘7150元)
500 件以上¥2.75/件 (折合1盘6875元)
品牌:ON(安森美)
封装:SOIC-8_150mil
货期:1-2天
已售出: 3494件 (1盘有2500件)
库存数量:0 件(可订货)

  • 商品名称:NCP1200D60R2G 编带
  • 商品品牌:ON(安森美)
  • 商品类别:开关电源芯片
  • 二级分类:开关电源芯片
  • 商品型号:

    NCP1200D60R2G

  • 封装规格:SOIC-8_150mil
  • 商品编号:AT008979
  • 商品重量:0.000200kg
NCP1200D60R2G中文资料
NCP1200D60R2G中文资料第10页精选内容: NCP1200 WWW.ONSEMI.COM 10时间内部故障旗时间时间 DRV V CC司机豆类司机豆类 11.4 V 9.8 V 6.3 V规发生在这里锁断相故障是轻松故障发生在这里启动阶段 图20.如果在V CC 自然下降序列 期间故障被放松 ,IC自动恢复. 如果V CC 达到UVLO L 时故障仍然存在 ,则控制器将所有事件切断直至恢复. 计算V CC 电容正如上面的部分所描述的那样,跌倒顺序 取决于V CC 级别:需要多长时间? V CC 线从11.4 V变为9.8 V? 所需的时间取决于系统的启动顺序,即何时您首先将电源应用于IC.相应的由输出电容器充电引起的瞬态故障持续时间必须小于从11.4 V放电所需的时间到9.8 V,否则电源将无法正常启动.考试包括在实验室中模拟或测量如何系统花费很多时间才能完全达到规定加载.我们假设这个时间对应于6MS. 因此,V CC 下降时间为10毫秒可能会更好拨动以不触发过载检测电路.如果相应的IC消耗在内 MOSFET驱动器,建立在1.5 MA,我们可以计算所需电容器使用以下公式: DT + DV @ C一世 ,与 DV = 2V.然后,对于10毫秒的想要的DT, C等于8 MF或10 MF为标准值.当一个过载情况发生,IC封锁其内部电路及其消耗降至350 MA典型.这个 在V CC = 9.8 V时 附加, 直到V CC时 仍然卡住达到6.5 V:我们处于闭锁阶段.再次,使用计算10 MF和350 MA电流消耗,这闭锁阶段持续:109毫秒.保护控制器免受负峰与基于CMOS技术的任何控制器一样,它也是如此是设计师的责任,以避免负面的存在尖刺敏感的针脚.负面信号有坏习惯以正向偏置控制器基板并导致不稳定行为.有时候,注射可能非常强大内部寄生SCR被触发,产生如果IC阻抗较低,则会对IC造成无法弥补的损害 路径在V CC 和GND 之间提供 . 如果是目前的感觉引脚往往是这样的虚假信号的所在地高压引脚也可能成为问题的根源某些情况下.在关闭序列期间,例如当用户拔掉电源时,控制
NCP1200D60R2G关联型号
机译版中文资料(1/16) 英文原版数据手册(1/16)

*NCP1200D60R2G中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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