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开关电源芯片/NCP1200D60R2G 编带
商品型号:NCP1200D60R2G PDF数据手册)

起售量(pcs)价格
1~9件¥4.31/件 (折合1盘10775元)
10~29件¥3.35/件 (折合1盘8375元)
30~99件¥3.17/件 (折合1盘7925元)
100 件以上¥3/件 (折合1盘7500元)
已售出: 3494件 (1盘有2500件) 货期:1天
数量:
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AT008979.pdf
NCP1200D60R2G数据手册
  • 商品名称:NCP1200D60R2G 编带
  • 商品品牌:ON(安森美)
  • 商品类别:开关电源芯片
  • 二级分类:开关电源芯片
  • 商品型号:

    NCP1200D60R2G

  • 封装规格:SOIC-8_150mil
  • 商品编号:AT008979
  • 商品重量:0.000200克
NCP1200D60R2G中文资料
NCP1200 www.onsemi.com 10时间内部故障旗时间时间 DRV V CC司机豆类司机豆类 11.4 V 9.8 V 6.3 V规发生在这里锁断相故障是轻松故障发生在此启动阶段 图20.如果在V CC 自然下降顺序 期间故障松弛 ,则IC自动恢复. 如果V CC 到达UVLO L 时故障仍然存在 ,那么控制器将切断所有状态,直到恢复. 计算V CC 电容如上节所述,下降顺序 取决于V CC 级别:需要多长时间 V CC 线从11.4 V转到9.8 V? 所需时间取决于系统的启动顺序,即何时您首先将电源应用于IC.相应的由于输出电容充电引起的瞬态故障持续时间必须小于从11.4 V排放所需的时间到9.8 V,否则电源将无法正常启动.考试在实验室中模拟或测量如何系统充分实现监管的时间很长加载.我们假设这个时间对应于6ms. 因此,V CC 下降时间为10 ms可能很好为了不触发过载检测而被占用电路.如果相应的IC消耗,包括 MOSFET驱动,建立在1.5 mA,我们可以计算所需电容器使用以下公式: Dt + DV @ C一世 ,与 DV = 2V.然后对于10毫秒的想要的Dt, C等于8 mF或10 mF为标准值.当一个发生过载状态,IC阻塞其内部电路及其消耗降至350 mA典型这个 附加在V CC = 9.8 V,它仍然卡住直到V CC达到6.5V:我们在Latchoff阶段.再次,使用计算10 mF和350 mA电流消耗,这一点 latchoff相持续:109 ms.保护控制器免受负峰与任何基于CMOS技术的控制器一样设计师的责任是避免存在负面敏感针脚尖峰.消极信号有坏习惯对控制器基板进行偏置控制,并引起不规则行为.有时,注射可以这么强内部寄生SCR被触发,产生如果它们是低阻抗,则不可逆转的IC损坏 V CC 和GND 之间提供路径 . 如果现在的感觉 pin通常是这样的杂散信号的座位高电压引脚也可能是问题的根源某些情况下.在关闭序列期间,例如当用户拔掉电源时,控制器仍然存在 由其V CC 电容 馈电 并且继续
NCP1200D60R2G关联型号
机译版中文资料(1/16) 英文原版数据手册(1/16)

*NCP1200D60R2G中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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