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MOS(场效应管)/SGW25N120 管装
商品型号:SGW25N120 PDF数据手册)

起售量(pcs)价格
1~9件¥61.37/件 (折合1管1841.1元)
10~29件¥48.22/件 (折合1管1446.6元)
30~99件¥44.63/件 (折合1管1338.9元)
100~499件¥41.16/件 (折合1管1234.8元)
500 件以上¥40.15/件 (折合1管1204.5元)
已售出: 7226件 (1管有30件) 货期:1天
数量:
X 0 = 0.0 库存数量:18 件(可订货)

  • 商品名称:SGW25N120 管装
  • 商品品牌:Infineon(英飞凌)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    SGW25N120

  • 封装规格:TO-247(AC)
  • 商品编号:B1061826
  • 商品重量:0.007990kg
SGW25N120中文资料
SGW25N120功率半导体 2JUL-02热阻参数符号条件最大.值单元特性 IGBT热阻,路口 - 案例 R THJC 0.4热阻,结 - 环境 R THJA TO-247AC 40 K / W 电气特性,在T J = 25 °C,除非另有说明值参数符号条件分钟. (典型值).最大.单元静态特性集电极发射极击穿电压 V (BR)CES V GE = 0V, 我 C = 1500 μA 1200 - - 集电极发射极饱和电压 V CE(SAT) V GE = 15 V,I C = 25A T J = 2 5 C T J = 150 C 2.5 - 3.1 3.7 3.6 4.3栅极发射极阈值电压 V GE(TH) 我 C = 1000 μA, V CE = V GE 34五 V零栅极集电极电流 我是 CE S V CE = 1200V,V GE = 0V T J = 2 5 C T J = 150 C - - - - 350 1400 μA栅极发射极泄漏电流 我是 GE S V CE = 0V,V GE = 20V - - 100 NA的跨 G FS V CE = 20V,I C = 25A 20 - 小号动态特性输入电容 C ISS - 2150 2600输出电容 C OS S - 160 190反向传输电容 C RS S V CE = 25V, V GE = 0V, F = 1M H Z - 110 130 PF的门牌费用 Q GAT E V CC = 960V,I C = 25A V GE = 15V - 225 300 NC内部发射极电感从外壳测量5MM(0.197英寸) L E TO - 2 4 7 AC - 13 - NH的短路集电极电流 1) 我 C(SC) V GE = 15V,T SC ≤10μS 100V ≤V CC ≤1200V, T J ≤150°C - 240 - 一个 1) 允许的短路数量:<1000; 短路之间的时间:> 1秒.
机译版中文资料(1/11) 英文原版数据手册(1/11)

*SGW25N120中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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