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MOS(场效应管)/SGW25N120 管装
商品型号:SGW25N120 PDF数据手册)

参考起售量(pcs)参考价格
1~9件¥26.46/件 (折合1管793.8元)
10~29件¥22.68/件 (折合1管680.4元)
30~99件¥21.99/件 (折合1管659.7元)
100 件以上¥21.29/件 (折合1管638.7元)
品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TO-247(AC)
货期:1天
已售出: 7226件 (1管有30件)
库存数量:0 件(可订货)

B1061826.pdf
SGW25N120数据手册
  • 商品名称:SGW25N120 管装
  • 商品品牌:Infineon(英飞凌)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    SGW25N120

  • 封装规格:TO-247(AC)
  • 商品编号:B1061826
  • 商品重量:0.007990克
SGW25N120中文资料
SGW25N120功率半导体 1Jul-02 NPT技术中的快速IGBT ?E降低40% 与上一代相比 ?短路耐受时间 - 10μs ?专为: - 电机控制 - 变频器 - SMPS ?NPT-Technology提供: - 非常严格的参数分配 - 耐高温,温度稳定的行为 - 并行切换能力 ?完整的产品光谱和PSpice模型:http://www.infineon.com/igbt/类型 V CE 我 C E 关闭 T j包订购代码 SGW25N120 1200V 25A 2.9mJ 150 C TO-247AC Q67040-S4277最高评分参数符号值单元集电极 - 发射极电压 V CE 1200 V直流集电极电流 T C = 25 C T C = 100 C 我 C 46 25 脉冲集电极电流,t p 受T jmax 限制 我 Cp 84关闭安全操作区域 V CE ≤1200V,T ? ≤150°C - 84一个栅极 - 发射极电压 V GE ±20 V雪崩能量,单脉冲 I C = 25A,V CC = 50V,R GE = 25 Ω,从T开始 j = 25 C E AS 130兆焦耳短路耐受时间 1) V GE = 15V,100V ≤V CC ≤1200V,T ? ≤150°C t SC 10微秒功耗 T C = 25 C P tot 313 w ^操作接头和存储温度 T j ,T stg -55 ... + 150焊接温度为1.6mm(0.063in.),为10s - 260 C 1) 允许短路数:<1000; 短路时间:> 1s. G C ? P-TO-247-3-1 (TO-247AC)
SGW25N120关联型号
机译版中文资料(1/11) 英文原版数据手册(1/11)

*SGW25N120中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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