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MOS(场效应管)/SI1012R-T1-GE3
商品型号:SI1012R-T1-GE3 PDF数据手册)

参考起售量(pcs)参考价格
10~99个¥1/个 (折合1盘3000元)
100~399个¥0.484/个 (折合1盘1452元)
400~999个¥0.409/个 (折合1盘1227元)
1000~2999个¥0.383/个 (折合1盘1149元)
3000 个以上¥0.372/个 (折合1盘1116元)
品牌:VISHAY(威世)
封装:SC-75AREEL
货期:1天
已售出: 7475个 (1盘有3000个)
库存数量:0 个(可订货)

SL00074.pdf
SI1012R-T1-GE3数据手册
  • 商品名称:SI1012R-T1-GE3
  • 商品品牌:VISHAY(威世)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    SI1012R-T1-GE3

  • 封装规格:SC-75AREEL
  • 商品编号:SL00074
  • 商品重量:0.000100克
SI1012R-T1-GE3中文资料
Vishay Siliconix Si1012R / X文件编号:71166 S10-2432-REV. D,25-Oct-10 www.vishay.com 1 N沟道1.8 V(GS)MOSFET特征 ?无卤素根据IEC 61249-2-21定义 ? TrenchFET? 功率MOSFET:1.8 V额定值 ?栅源ESD保护:2000 V ?高端开关 ?低导通电阻:0.7 ? ?低阈值:0.8 V(典型值) ?快速切换速度:10 ns ?符合RoHS指令2002/95 / EC应用 ?驱动器:继电器,螺线管,灯,锤,显示器,回忆 ?电池供电系统 ?电源转换器电路 ?负载/电源开关手机,寻呼机优点 ?轻松驾驶开关 ?低偏移(误差)电压 ?低电压工作 ?高速电路 ?低电池电压操作产品概要 V DS (V) R DS(on) (?)I D (mA) 20 V GS = 4.5 V时为 0.70 600 0.85 V GS = 2.5 V 500 在V GS = 1.8 V时为 1.25 350顶视图 2 1小号 e G 3 SC-75A或SC-89笔记:一个.脉冲宽度受最大结温限制.湾表面安装在FR4板上.订购信息零件号包印记码 Si1012R-T1-GE3(无铅)和无卤素) SC-75A (SOT-416) C Si1012X-T1-GE3(无铅)和无卤素) SC-89 (SOT-490)一个 绝对最大额定值(T A = 25°C,除非另有说明)参数符号 5秒稳定状态单元漏源电压 V DS 20 V栅源电压 V GS ±6 连续漏极电流(T J = 150°C) b T A = 25℃ 我 D 600 500嘛 T A = 85℃ 400 350 脉冲排水电流 a 我 DM 1000 连续源电流(二极管导通) b 我是 275 250 SC-75的 最大功耗 b T A = 25℃ P D 175 150毫瓦 T A = 85℃ 90 80 SC-89的 最大功耗 b T A = 25℃ 275 250 T A = 85℃ 160 140工作结温和存储温度范围 T J ,T stg - 55至150 C门源ESD等级(HBM,方法3015) ESD 2000 V
SI1012R-T1-GE3关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*SI1012R-T1-GE3中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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