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MOS(场效应管)/SI1016X-T1-GE3
商品型号:SI1016X-T1-GE3 PDF数据手册)

参考起售量(pcs)参考价格
10~99个¥1/个 (折合1盘3000元)
100~399个¥0.78/个 (折合1盘2340元)
400~999个¥0.66/个 (折合1盘1980元)
1000~2999个¥0.62/个 (折合1盘1860元)
3000 个以上¥0.6/个 (折合1盘1800元)
品牌:VISHAY(威世)
封装:SOT-563-6
货期:1天
已售出: 8123个 (1盘有3000个)
库存数量:0 个(可订货)

SL00579.pdf
SI1016X-T1-GE3数据手册
  • 商品名称:SI1016X-T1-GE3
  • 商品品牌:VISHAY(威世)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    SI1016X-T1-GE3

  • 封装规格:SOT-563-6
  • 商品编号:SL00579
  • 商品重量:0.000100克
SI1016X-T1-GE3中文资料
Vishay Siliconix Si1016X文件编号:71168 S-80427-REV. D,03-Mar-08 www.vishay.com 1互补的N和P沟道20V(DS)MOSFET特征 ?无卤选项可用 ? TrenchFET? 功率MOSFET ? 2000 V ESD保护 ?非常小的脚印 ?高端开关 ?低导通电阻: N通道,0.7 Ω P通道,1.2 Ω ?低阈值:±0.8 V(典型值) ?快速切换速度:14 ns ? 1.8 V操作优点 ?轻松驾驶开关 ?低偏移(误差)电压 ?低电压工作 ?高速电路 ?低电池电压操作应用 ?更换数字晶体管,电平移位器 ?电池供电系统 ?电源转换器电路 ?负载/电源开关手机,寻呼机产品概要 V DS (V) R DS(on) (Ω)I D (mA) N沟道 20 V GS = 4.5 V时为 0.70 600 0.85 V GS = 2.5 V 500 在V GS = 1.8 V时为 1.25 350 P沟道 - 20 1.2 V GS = - 4.5 V - 400 1.6 V GS = - 2.5 V - 300 2.7 V GS = - 1.8 V - 150顶视图 3 1 D2 G2 S1五 2 4 6 D1 S2 G1 SOT-563 SC-89标记代码:A订购信息:Si1016X-T1-E3(无铅) Si1016X-T1-GE3(无铅(Pb),无卤素)笔记:一个.表面安装在FR4板上.湾脉冲宽度受最大结温限制. 绝对最大额定值T A = 25°C,除非另有说明参数符号 N沟道 P沟道单元 5秒稳定状态 5秒稳定状态漏源电压 V DS 20 - 20 V栅源电压 V GS ±6 连续漏极电流(T J = 150°C)一个 T A = 25℃ 我 D 515 485 - 390 - 370嘛 T A = 85℃ 370 350 - 280 - 265 脉冲排水电流 b 我 DM 650 - 650 连续源电流(二极管导通) a 我是 450 380 - 450 - 380 最大功耗 a T A = 25℃ P D 280 250 280 250毫瓦 T A = 85℃ 145 130 145 130工作结温和存储温度范围 T J ,T stg - 55至150 C门源ESD等级(HBM,方法3015) ES
SI1016X-T1-GE3关联型号
机译版中文资料(1/8) 英文原版数据手册(1/8)

*SI1016X-T1-GE3中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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