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MOS(场效应管)/SI1016X-T1-GE3
商品型号:SI1016X-T1-GE3 PDF数据手册)

起售量(pcs)价格
1~9个¥3.55/个 (折合1盘10650元)
10~29个¥3.18/个 (折合1盘9540元)
已售出: 8123个 (1盘有3000个) 货期:1天
数量:
X 0 = 0.0 库存数量:82 个(可订货)

  • 商品名称:SI1016X-T1-GE3
  • 商品品牌:VISHAY(威世)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    SI1016X-T1-GE3

  • 封装规格:SOT-563
  • 商品编号:SL00579
  • 商品重量:0.000100kg
SI1016X-T1-GE3中文资料
SI1016X-T1-GE3中文资料第2页精选内容: www.vishay.com 2文件号:71168 S-80427-REV. D,2008年3月3日 Vishay Siliconix Si1016X笔记:一个.脉冲测试;脉宽 ≤300μs,占空比≤2%.湾由设计保证,不受生产测试.强调超出“绝对最大额定值”列出的可能会导致设备永久性损坏.这些只是压力评级,和功能操作在这些或任何其他超出规格的操作部分所示的条件下的设备不会被暗示.暴露于绝对最大值长时间的评级条件可能会影响设备的可靠性. 规格T J = 25°C,除非另有说明参数符号测试条件闵.典型.最大.单元静态的门限电压 V GS(th) V DS = V GS, I D =250μA N-CH 0.45 1 V V DS = V GS ,I D = - 250μA P沟道 - 0.45 - 1门体泄漏 我 GSS V DS = 0V,V GS =±4.5V N-CH ±0.5 ±1.0 μA P沟道 ±1.0 ±2.0零栅极电压漏极当前 我 DSS V DS = 16V,V GS = 0V N-CH 0.3 100 nA的 V DS = -16V,V GS = 0V P沟道 - 0.3 - 100 V DS = 16V,V GS = 0V,T J = 85℃ N-CH五 μA V DS = -16V,V GS = 0V,T J = 85℃ P沟道 5, 关于国家排水当前 a 我 D(上) V DS = 5V,V GS = 4.5V N-CH 700嘛 V DS = -5V,V GS = -4.5V P沟道 - 700排水源开状态 抵抗 a R DS(上) V GS = 4.5V,I D = 600mA N-CH 0.41 0.70 Ω V GS = - 4.5V,I D = - 350mA P沟道 0.80 1.2 V GS = 2.5V,I D = 500mA N-CH 0.53 0.85 V GS = - 2.5V,I D = - 300mA P沟道 1.20 1.6 V GS = 1.8V,I D = 350mA N-CH 0.70 1.25 V GS = - 1.8V,I D = - 150mA P沟道 1.80 2.7 正向跨导 a g fs V DS = 10V,I D = 400mA N-CH 1.0小号 V DS = -10V,I D = - 250mA P沟道 0.4 二极管正向电压 a
SI1016X-T1-GE3关联型号
机译版中文资料(1/8) 英文原版数据手册(1/8)

*SI1016X-T1-GE3中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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