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MOS(场效应管)/SI1031R-T1-GE3
商品型号:SI1031R-T1-GE3 PDF数据手册)

参考起售量(pcs)参考价格
10~99个¥1.16/个 (折合1盘3480元)
100~399个¥0.81/个 (折合1盘2430元)
400~999个¥0.69/个 (折合1盘2070元)
1000~2999个¥0.65/个 (折合1盘1950元)
3000 个以上¥0.63/个 (折合1盘1890元)
品牌:VISHAY(威世)
封装:SC-75A
货期:1天
已售出: 8144个 (1盘有3000个)
库存数量:0 个(可订货)

  • 商品名称:SI1031R-T1-GE3
  • 商品品牌:VISHAY(威世)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    SI1031R-T1-GE3

  • 封装规格:SC-75A
  • 商品编号:SL00503
  • 商品重量:0.000100kg
SI1031R-T1-GE3中文资料
SI1031R-T1-GE3中文资料第2页精选内容: WWW.VISHAY.COM 2文件编号:71171 S-81543-REV. C,07年7月7日 VISHAY SILICONIX SI1031R / X笔记:一个.脉冲测试;脉宽 ≤300μS,占空比≤2%.湾由设计保证,不受生产测试.强调超出“绝对最大额定值”列出的可能会导致设备永久性损坏.这些只是压力评级,和功能操作在这些或任何其他超出规格的操作部分所示的条件下的设备不会被暗示.暴露于绝对最大值长时间的评级条件可能会影响设备的可靠性.典型特征 T A = 25°C,除非另有说明 规格T A = 25°C,除非另有说明参数符号测试条件闵. 典型. 一个最大.单元静态的门限电压 V GS(TH) V DS = V GS ,I D = - 250μA - 0.40 - 1.2 V门体泄漏 我 GSS V DS = 0V,V GS =±2.8V ±0.5 ±1.0 μA V DS = 0V,V GS =±4.5V ±1.0 ±2.0零栅极电压漏极电流 我 DSS V DS = -16V,V GS = 0V - 1 - 500 NA的 V DS = -16V,V GS = 0V,T J = 85℃ - 10 μA 开态漏电流 A 我 D(上) V DS = -5V,V GS = -4.5V - 200嘛 排水源通态电阻 A R DS(上) V GS = - 4.5V,I D = - 150MA 8 Ω V GS = - 2.5V,I D = - 125MA 12 V GS = - 1.8V,I D = - 100MA 15 V GS = - 1.5V,I D = - 30MA 20 正向跨导 A G FS V DS = -10V,I D = 150MA 0.4小号 二极管正向电压 A V SD I S = - 150MA,V GS = 0V - 1.2 V 动态 B总门电荷 Q G V DS = -10V,V GS = -4.5V,I D = -150MA 1500个人计算机门源电荷 Q GS 150门排水费 Q GD 450开启延迟时间 T D(ON) V DD = -10V,R L =65Ω I D≤-150 MA,V GEN = - 4.5 V,R G = 10Ω 55 NS上升时间 T R三十关闭延迟时间 T D(关闭) 60下降时间 T F三十输出特性 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0
SI1031R-T1-GE3关联型号
机译版中文资料(1/5) 英文原版数据手册(1/5)

*SI1031R-T1-GE3中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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