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MOS(场效应管)/SI1031R-T1-GE3
商品型号:SI1031R-T1-GE3 PDF数据手册)

参考起售量(pcs)参考价格
10~99个¥1/个 (折合1盘3000元)
100~399个¥0.7/个 (折合1盘2100元)
400~999个¥0.59/个 (折合1盘1770元)
1000~2999个¥0.56/个 (折合1盘1680元)
3000 个以上¥0.54/个 (折合1盘1620元)
品牌:VISHAY(威世)
封装:SC-75A
货期:1天
已售出: 8144个 (1盘有3000个)
库存数量:0 个(可订货)

SL00503.pdf
SI1031R-T1-GE3数据手册
  • 商品名称:SI1031R-T1-GE3
  • 商品品牌:VISHAY(威世)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    SI1031R-T1-GE3

  • 封装规格:SC-75A
  • 商品编号:SL00503
  • 商品重量:0.000100克
SI1031R-T1-GE3中文资料
Vishay Siliconix Si1031R / X文件编号:71171 S-81543-REV. C,07-Jul-08 www.vishay.com 1 P沟道20 V(DS)MOSFET特征 ?无卤选项可用 ?高端开关 ?低导通电阻:8 Ω ?低阈值:0.9 V(典型值) ?快速切换速度:45 ns ? TrenchFET? 功率MOSFET:1.5 V额定值 ? ESD保护:2000 V应用 ?驱动器:继电器,螺线管,灯,锤,显示器,回忆 ?电池供电系统 ?电源转换器电路 ?负载/电源开关手机,寻呼机优点 ?轻松驾驶开关 ?低偏移(误差)电压 ?低电压工作 ?高速电路 ?低电池电压操作产品概要 V DS (V) R DS(on) (Ω)I D (mA) - 20 8 V GS = - 4.5 V - 150 12 V GS = - 2.5 V - 125 15 V GS = - 1.8 V - 100 20 V GS = - 1.5 V - 30 SC-75A(SOT-416):Si1031R SC-89(SOT-490):Si1031X顶视图 2 1小号 e G 3标记码:H SC-75A或SC-89订购信息: Si1031R-T1-E3(SC-75A,无铅) Si1031R-T1-GE3(SC-75A,无铅无铅) Si1031X-T1-E3(SC-89,无铅) Si1031X-T1-GE3(SC-89,无铅无铅)笔记:一个.表面安装在FR4板上. 绝对最大额定值T A = 25°C,除非另有说明参数符号 Si1031R Si1031X单元 5秒稳定状态 5秒稳定状态漏源电压 V DS - 20 V栅源电压 V GS ±6 连续漏极电流(T J = 150°C)一个 T A = 25℃ 我 D - 150 - 140 - 165 - 155嘛 T A = 85℃ - 110 - 100 - 150 - 125 脉冲排水电流 a 我 DM - 500 - 600 连续源电流(二极管导通) a 我是 - 250 - 200 - 340 - 240 最大功耗 a T A = 25℃ P D 280 250 340 300毫瓦 T A = 85℃ 145 130 170 150工作结温和存储温度范围 T J ,T stg -
SI1031R-T1-GE3关联型号
机译版中文资料(1/5) 英文原版数据手册(1/5)

*SI1031R-T1-GE3中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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