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MOS(场效应管)/SI3433CDV-T1-GE3
商品型号:SI3433CDV-T1-GE3 PDF数据手册)

参考起售量(pcs)参考价格
10~99个¥1/个 (折合1盘3000元)
100~399个¥0.484/个 (折合1盘1452元)
400~999个¥0.409/个 (折合1盘1227元)
1000~2999个¥0.383/个 (折合1盘1149元)
3000 个以上¥0.372/个 (折合1盘1116元)
品牌:VISHAY(威世)
封装:TSOP-6
货期:1天
已售出: 7288个 (1盘有3000个)
库存数量:0 个(可订货)

SL00129.pdf
SI3433CDV-T1-GE3数据手册
  • 商品名称:SI3433CDV-T1-GE3
  • 商品品牌:VISHAY(威世)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    SI3433CDV-T1-GE3

  • 封装规格:TSOP-6
  • 商品编号:SL00129
  • 商品重量:0.000100克
SI3433CDV-T1-GE3中文资料
AN823 Vishay Siliconix文件编号:71743 27月 - 04 www.vishay.com 1 安装LITTLE FOOT R TSOP-6功率MOSFET表面贴装功率MOSFET封装已经基于集成电路和小信号封装.那些包已经被修改以提供热传递的改进功率MOSFET需要.引线框架材料和设计,成型化合物,和模具附着材料已经改变.什么仍然是相同的是足迹的包.表面贴装功率MOSFET焊盘设计的基础是包的基本足迹.对于TSOP-6封装大纲图见http://www.vishay.com/doc?71200,参见 http://www.vishay.com/doc?72610的最小焊盘占位面积.在将占位面积转换为功率MOSFET的焊盘组时,必须记住,你不仅要制造电气连接到包装,但您必须进行热连接并提供从包装中吸取热量并移动的方法远离包装.在TSOP-6封装的情况下,电气连接是很简单.引脚1,2,5和6是MOSFET的漏极连接在一起用于小信号装置或集成电路,典型的连接将用痕迹进行 0.020英寸宽由于漏极引脚用作额外的引脚提供热封连接的功能,这一点连接水平不足.总截面铜可能足以承载所需的电流应用,但它呈现出大的热阻抗.另外,热从热源以圆形的方式传播.在这种情况下排水管脚是散热的热源 PC板.图1显示了铜传播推荐的占位面积 TSOP-6封装.此模式显示出的起点利用可用于散热铜的板面积.至创造这种模式,铜的平面覆盖了基本模式引脚1,2,5和6.铜平面连接漏极引脚电,但更重要的是提供平面铜来绘制来自排水管的热量开始蔓延的过程热量可以消散到环境空气中.请注意平面铜的形状像“T”,以将热量从中移出排水导线在各个方向.此模式使用所有可用区域为此目的在身体下面.图1.推荐铜传播足迹 0.049 1.25 0.010 0.25 0.014 0.35 0.074 1.875 0.122 3.1 0.026 0.65 0.167 4.25 0.0
SI3433CDV-T1-GE3关联型号
机译版中文资料(1/11) 英文原版数据手册(1/11)

*SI3433CDV-T1-GE3中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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