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MOS(场效应管)/SI3456DDV-T1-GE3
商品型号:SI3456DDV-T1-GE3 PDF数据手册)

起售量(pcs)价格
1~9个¥2.9/个 (折合1盘8700元)
10~29个¥2.6/个 (折合1盘7800元)
30~99个¥2.44/个 (折合1盘7320元)
已售出: 5339个 (1盘有3000个) 货期:1天
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  • 商品名称:SI3456DDV-T1-GE3
  • 商品品牌:VISHAY(威世)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    SI3456DDV-T1-GE3

  • 封装规格:TSOP-6
  • 商品编号:SL00504
  • 商品重量:0.000100kg
SI3456DDV-T1-GE3中文资料
SI3456DDV-T1-GE3中文资料第8页精选内容: AN823 VISHAY SILICONIX文件号:71743 27月 - 04 WWW.VISHAY.COM 1 安装小脚 R TSOP-6功率MOSFET表面贴装功率MOSFET封装一直基于集成电路和小信号封装.那些包已被修改以提供传热的改进功率MOSFET所要求的.引线框材料和设计,模塑料和模具附着材料改变.还是一样的是这个地方的脚印包.表面贴装功率MOSFET的焊盘设计的基础是包裹的基本足迹.对于TSOP-6包装大纲图见HTTP://WWW.VISHAY.COM/DOC?71200,看看 HTTP://WWW.VISHAY.COM/DOC?72610获取最小焊盘尺寸.在将脚印转换为功率MOSFET的焊盘组中一定要记住,你不仅要做电器连接到包装上,但是您必须进行热连接并提供从包装中吸取热量并移动的手段远离包装.在TSOP-6封装的情况下,电气连接是很简单.引脚1,2,5和6是MOSFET的漏极连接在一起.对于小信号设备或集成电路,典型的连接将被做出痕迹 0.020英寸宽.由于排水引脚提供额外的服务为包装提供热连接的功能连接水平不足.的总横截面铜可能足以承载所需的电流应用程序,但它提供了一个很大的热阻抗.另外,热量从热源以圆形方式散布.在这种情况下排水管是看散热时散热的热源 PC板.图1显示了铜扩散建议占地面积 TSOP-6包装.这个模式显示了出发点利用可用于散热铜的电路板面积.至创造这个模式,铜的一个平面覆盖基本的模式引脚1,2,5和6.铜平面连接排水引脚电气,但更重要的是提供平面铜拉从排水的热量导致并开始传播的过程所以它可以散发到周围的空气中.注意到了平面铜的形状像一个“T”从热移动远离排水四通八达.这种模式使用所有可用区域为了这个目的,在身体的下面.图1.推荐的铜铺展足迹 0.049 1.25 0.010 0.25 0.014 0.35 0.074 1.875 0.122 3.1 0.026 0.65 0.167 4.
SI3456DDV-T1-GE3关联型号
机译版中文资料(1/11) 英文原版数据手册(1/11)

*SI3456DDV-T1-GE3中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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