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MOS(场效应管)/SI4156DY-T1-GE3
商品型号:SI4156DY-T1-GE3

参考起售量(pcs)参考价格
1~49个¥1.76/个
50~99个¥1.49/个
100~499个¥1.4/个
500 个以上¥1.36/个
品牌:VISHAY(威世)
封装:SOIC-8
货期:1天
已售出: 8051个
库存数量:0 个(可订货)

  • 商品名称:SI4156DY-T1-GE3
  • 商品品牌:VISHAY(威世)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    SI4156DY-T1-GE3

  • 封装规格:SOIC-8
  • 商品编号:SL00639
  • 商品重量:0.000100克
SI4156DY-T1-GE3中文资料
VISHAY硅胶 TrenchFET? 功率MOSFET应用笔记808 安装LITTLE FOOT? ,SO-8功率MOSFET文件编号:70740 www.vishay.com修订日期:18-Jun-07 1沃顿商学院麦克丹尼尔使用表面贴装的LITTLE FOOT功率MOSFET集成电路和小信号封装被修改以提供传热能力由电力设备要求.引线框架材料和设计,成型化合物和管芯附着材料已经改变,而包裹的占用仍然存在一样.请参见应用笔记826,推荐的最小焊盘 Vishay Siliconix的外形图形访问模式 MOSFET,( http://www.vishay.com/ppg?72286 ),为基础的焊盘设计为一个小的SOOT SO-8电源 MOSFET.在转换这个推荐的最小垫到设置功率MOSFET的焊盘,设计人员必须做两个连接:电气连接和热连接连接,从包装中吸走热量.在SO-8封装的情况下,热连接很简单针5,6,7和8是排水管 MOSFET用于单个MOSFET封装并连接一起.在双重封装中,引脚5和6是一个漏极,引脚7和8是另一个漏极.对于小信号装置或集成电路,典型的连接将与痕迹为0.020英寸宽.由于漏极引脚供电提供热连接的附加功能到包装,这个连接水平不足.该铜的总截面可能足以承载当前所需的应用程序,但它提供了一个大热阻.此外,热量传播在一个圆形时尚从热源.在这种情况下,漏极引脚是在PC上散热的热源板.图1.单个MOSFET SO-8焊盘铜蔓延图案图2.双MOSFET SO-8焊盘图案铜传播该最低限度推荐的垫模式对于该单MOSFET SO-8与铜扩散(图1)和具有铜扩散的双MOSFET SO-8(图2)显示利用可用的板区的起点散热铜.创建这个模式,一个平面铜覆盖在漏极引脚上.铜线连接漏极引脚电气,但更重要的是提供平面铜线从引线引出热量并启动传播热量的过程可以消散环境空气.这些模式使用所有可用区域为此目的在身体下面.由
SI4156DY-T1-GE3关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*SI4156DY-T1-GE3中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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