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MOS(场效应管)/SI4156DY-T1-GE3
商品型号:SI4156DY-T1-GE3

参考起售量(pcs)参考价格
1~49个¥2.04/个
50~99个¥1.73/个
100~499个¥1.62/个
500 个以上¥1.57/个
品牌:VISHAY(威世)
封装:SOIC-8
货期:1天
已售出: 8051个
库存数量:0 个(可订货)

  • 商品名称:SI4156DY-T1-GE3
  • 商品品牌:VISHAY(威世)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    SI4156DY-T1-GE3

  • 封装规格:SOIC-8
  • 商品编号:SL00639
  • 商品重量:0.000100kg
SI4156DY-T1-GE3中文资料
SI4156DY-T1-GE3中文资料第8页精选内容: VISHAY SILICONIX TrenchFET? 功率MOSFET应用笔记808 安装LITTLE FOOT? ,SO-8功率MOSFET文件号:70740 www.vishay.com修订:06年6月18日 1沃顿商学院麦克丹尼尔表面贴装的小功率功率MOSFET使用集成电路和小信号封装已被修改以提供传热能力功率器件要求.引线框架材料和设计,模塑料和模具附着材料被改变了,而包裹的印记仍然存在一样.参见应用笔记826,推荐最小焊盘 Vishay Siliconix的轮廓绘图模式 MOSFETs,( http://www.vishay.com/ppg?72286 ),为一个小脚SO-8电源的垫设计的基础 MOSFET.在转换这个建议的最小垫到设置功率MOSFET的垫子,设计师必须做出两个连接:电气连接和散热连接,从包装中吸走热量.在SO-8封装的情况下,热连接非常简单.引脚5,6,7和8是引脚的引脚用于单个MOSFET封装的MOSFET连接一起.在双重封装中,引脚5和引脚6是一个引出线引脚7和8是另一个引流管.对于小信号设备或集成电路,典型的连接将与痕迹是0.020英寸宽.由于排水引脚服务提供热连接的附加功能对这个包来说,这个连接水平是不够的.该铜的总横截面可能足以承载目前所需的应用程序,但它提出了一个热阻大.另外,热量传播在一个圆形来自热源的时尚.在这种情况下,排水管脚是看热量散发在PC上的热源板.图1.单个MOSFET SO-8焊盘铜传播的无缝的样式图2.双MOSFET SO-8焊盘图案铜扩散该最低限度推荐的垫模式对于该铜扩散的单MOSFET SO-8(图1)和带有铜扩散的双MOSFET SO-8(图2)显示利用电路板面积的起点散热铜.要创造这种模式,一架飞机铜覆盖在排水管脚上.铜平面连接排水引脚电气,但更重要的是提供平面铜从漏极引线吸热并启动传播热量的过程,以便它可以消散进去环境空气.这些模式使用所有
SI4156DY-T1-GE3关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*SI4156DY-T1-GE3中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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