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MOS(场效应管)/SI4410DY 编带
商品型号:SI4410DY

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1~9件¥2.64/件
10~29件¥1.99/件
30~99件¥1.87/件
100 件以上¥1.73/件
品牌:VISHAY(威世)
封装:SOIC8_39MM
货期:1天
已售出: 5655件
库存数量:0 件(可订货)

  • 商品名称:SI4410DY 编带
  • 商品品牌:VISHAY(威世)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    SI4410DY

  • 封装规格:SOIC8_39MM
  • 商品编号:B1061569
  • 商品重量:0.000100克
SI4410DY中文资料
特征 D沟道MOSFET功率MOSFET Si4410DY Vishay Siliconix文件编号:71726 S-40838-REV. L,03-May-04 www.vishay.com 1 N沟道30 V(DS)MOSFET产品概要 V DS (V) r DS(开) (W) 我 D (A)三十 0.0135 @ V GS = 10 V 10三十 0.020 @ V GS = 4.5 V 8 SO-8 SD SD SD GD五 6 7 8顶视图 2 3 4 1 e G小号 N沟道MOSFET订购信息:Si4410DY-REVA Si4410DY-T1-REVA(带卷) Si4410DY-REVA-E3(无铅) Si4410DY-T1-A-E3(无卷带卷) 绝对最大额定值(T A = 25_C,除非另有说明)参数符号限制单元漏源电压 V DS三十 V栅源电压 V GS “20 V 连续漏极电流(T J = 150_C) a T A = 25_C 我 D 10 连续漏极电流(T J = 150_C) a T A = 70_C 我 D 8一个脉冲漏极电流 我 DM 50一个 连续源电流(二极管导通) a 我是 2.3 最大功耗 a T A = 25_C P D 2.5 w ^ 最大功耗 a T A = 70_C P D 1.6 w ^工作结温和存储温度范围 T J ,T stg -55至150 _C耐热等级参数符号限制单元 最大结到环境 a R thJA 50 _C / W最大连接点(排水口) R thJF 22 _C / W笔记一个.表面安装在FR4板上,电视10秒.
SI4410DY关联型号
机译版中文资料(1/4) 英文原版数据手册(1/4)

*SI4410DY中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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