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MOS(场效应管)/SI4410DY 编带
商品型号:SI4410DY

参考起售量(pcs)参考价格
1~9件¥3.06/件
10~29件¥2.31/件
30~99件¥2.16/件
100 件以上¥2.01/件
品牌:VISHAY(威世)
封装:SOIC8_39MM
货期:1天
已售出: 5655件
库存数量:0 件(可订货)

  • 商品名称:SI4410DY 编带
  • 商品品牌:VISHAY(威世)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    SI4410DY

  • 封装规格:SOIC8_39MM
  • 商品编号:B1061569
  • 商品重量:0.000100kg
SI4410DY中文资料
<a href = "/items/si4410dy-cn-1-id-12186.html">SI4410DY</a>中文资料第1页精选内容:特征 D TRENCHFET功率MOSFET SI4410DY VISHAY SILICONIX文件编号:71726 S-40838-REV. L,03年5月3日 WWW.VISHAY.COM 1 N沟道30V(DS)MOSFET产品摘要 V DS (V) DS(上) (W) 我 D (A)三十 0.0135V GS = 10V 10三十 0.020V GS = 4.5V 8 SO-8 SD SD SD GD五 6 7 8顶视图 2 3 4 1 D G小号 N沟道MOSFET订购信息:SI4410DY-REVA SI4410DY-T1-REVA(带卷) SI4410DY-REVA-E3(无铅) SI4410DY-T1-A-E3(无铅,带卷) 绝对最大额定值(T A = 25_C,除非另有说明)参数符号限制单元漏源电压 V DS三十 V门源电压 V GS “20 V 漏极连续电流(T J = 150°C) A T A = 25_C 我 D 10 漏极连续电流(T J = 150°C) A T A = 70_C 我 D 8一个脉冲漏电流 我 DM 50一个 连续源电流(二极管导通) A 我 S 2.3 最大功耗 A T A = 25_C P D. 2.5 W ^ 最大功耗 A T A = 70_C P D. 1.6 W ^结温和存储温度范围 T J ,T STG -55至150 _C热阻评级参数符号限制单元 最大结到环境 A R THJA 50 _C / W最大的结到脚(排水) R THJF 22 _C / W笔记一个.表面安装FR4板,电视10秒.
SI4410DY关联型号
机译版中文资料(1/4) 英文原版数据手册(1/4)

*SI4410DY中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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