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MOS(场效应管)/SI4936CDY-T1-GE3
商品型号:SI4936CDY-T1-GE3 PDF数据手册)

起售量(pcs)价格
1~9个¥5.11/个 (折合1盘12775元)
10~29个¥3.64/个 (折合1盘9100元)
30~99个¥3.3/个 (折合1盘8250元)
100~499个¥2.97/个 (折合1盘7425元)
500 个以上¥2.86/个 (折合1盘7150元)
已售出: 4746个 (1盘有2500个) 货期:1天
数量:
X 0 = 0.0 库存数量:45 个(可订货)

  • 商品名称:SI4936CDY-T1-GE3
  • 商品品牌:VISHAY(威世)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    SI4936CDY-T1-GE3

  • 封装规格:SOIC-8_150mil
  • 商品编号:SL00220
  • 商品重量:0.000100kg
SI4936CDY-T1-GE3中文资料
文件号:69097 S09-0390-REV. C,2009年3月9日 www.vishay.com 3 Vishay Siliconix Si4936CDY新产品典型特性25°C,除非另有说明输出特性导通电阻与漏极电流门收费 0五 10 15 20 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 V GS = 10 V至4 V V GS = 3V V GS = 1V,2V V DS - 漏源电压(V) 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0五 10 15 20 V GS = 4.5V V GS = 10V 我 D - 漏电流(A) 0 2 4 6 8 10 0123 456 我 D = 5A V DS = 24V V DS = 15V Q g - 总闸电荷(nC)转移特性电容导通电阻与结温 0 1 2 3 4五 012 3 4 T C = 25℃ T C = 125℃ T C = - 55℃ V GS - 栅极 - 源极电压(V) C rss 0 100 200 300 400 0五 10 15 20 25三十 C iss C oss V DS - 漏源电压(V) 0.7 0.9 1.1 1.3 1.5 1.7 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 V GS = 4.5V; 我 D = 4.7 A. V GS = 10V; I D = 5A T J 结温(°C)
SI4936CDY-T1-GE3关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*SI4936CDY-T1-GE3中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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