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MOS(场效应管)/SI5475DDC-T1-GE3
商品型号:SI5475DDC-T1-GE3 PDF数据手册)

参考起售量(pcs)参考价格
10~399个¥1.25/个 (折合1盘3750元)
400~999个¥1.06/个 (折合1盘3180元)
1000~2999个¥0.99/个 (折合1盘2970元)
3000 个以上¥0.96/个 (折合1盘2880元)
品牌:VISHAY(威世)
封装:CHIPFET
货期:1天
已售出: 3672个 (1盘有3000个)
库存数量:0 个(可订货)

SL00538.pdf
SI5475DDC-T1-GE3数据手册
  • 商品名称:SI5475DDC-T1-GE3
  • 商品品牌:VISHAY(威世)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    SI5475DDC-T1-GE3

  • 封装规格:CHIPFET
  • 商品编号:SL00538
  • 商品重量:0.000100克
SI5475DDC-T1-GE3中文资料
Vishay Siliconix Si5475DDC新产品文件编号:68750 S-82487-REV. B,08年10月13日 www.vishay.com 1 P沟道12 V(DS)MOSFET特征 ?无卤 ? TrenchFET? 功率MOSFET应用 ?便携式设备负载开关产品概要 V DS (V) R DS(on) (Ω)I D (A) Q g (Typ.) - 12 0.032 V GS = - 4.5 V - 6 a 20 nC V GS = - 2.5 V时为 0.040 - 6 a 在V GS = 1.8V时为 0.052 - 6 a订购信息:Si5475DDC-T1-GE3(无铅无铅)标记代码 BR XXX批次追溯和日期代码零件号码底视图 1206-8 ChipFET e e e G e e e小号 1小号 G e P沟道MOSFET笔记:一个.套餐有限湾表面安装在1“x 1”FR4板上. C. t = 5 s. 天. 参见Solder Profile( h ttp://www.vishay.com/ppg?73257 ). 1206-8 ChipFET是无引脚封装. 引线端子的末端被暴露作为制造中的切割处理的结果,铜(未镀覆).暴露的铜尖端的焊锡圆角不能保证不需要确保足够的底侧焊料互连.即返修条件:不推荐使用烙铁手动焊接无引线元件. F.稳态条件下的最大值为95°C / W. 绝对最大额定值T A = 25°C,除非另有说明参数符号限制单元漏源电压 V DS - 12 V栅源电压 V GS ±8 连续漏极电流(T J = 150°C) T C = 25°C 我 D - 6 a一个 T C = 70℃ - 6 a T A = 25℃ - 6 a,b,c T A = 70℃ - 5.6 b,c脉冲漏极电流 我 DM - 20连续源极漏极二极管电流 T C = 25°C 我是 - 4.8 T A = 25℃ - 1.9 b,c最大耗散功率 T C = 25°C P D 5.7 w ^ T C = 70℃ 3 T A = 25℃ 2.3 b,c T A = 70℃ 1.2 b,c工作结温和存储温度范围 T J ,T stg - 55至150 C 焊接建议(峰值温度) d,e 260耐热等级参数符号典型最大值单元 最大结到环境 b,f ? ≤
SI5475DDC-T1-GE3关联型号
机译版中文资料(1/7) 英文原版数据手册(1/7)

*SI5475DDC-T1-GE3中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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