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MOS(场效应管)/SI5475DDC-T1-GE3
商品型号:SI5475DDC-T1-GE3 PDF数据手册)

参考起售量(pcs)参考价格
10~399个¥1.45/个 (折合1盘4350元)
400~999个¥1.23/个 (折合1盘3690元)
1000~2999个¥1.15/个 (折合1盘3450元)
3000 个以上¥1.11/个 (折合1盘3330元)
品牌:VISHAY(威世)
封装:CHIPFET
货期:1天
已售出: 3672个 (1盘有3000个)
库存数量:0 个(可订货)

  • 商品名称:SI5475DDC-T1-GE3
  • 商品品牌:VISHAY(威世)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    SI5475DDC-T1-GE3

  • 封装规格:CHIPFET
  • 商品编号:SL00538
  • 商品重量:0.000100kg
SI5475DDC-T1-GE3中文资料
SI5475DDC-T1-GE3中文资料第1页精选内容: Vishay Siliconix Si5475DDC新产品文件号码:68750 S-82487-REV. B,2008年10月13日 www.vishay.com 1 P沟道12-V(DS)MOSFET特征 ?无卤 ? TrenchFET? 功率MOSFET应用 ?便携式设备负载开关产品摘要 V DS (V) R DS(on) (Ω)I D (A) Q g (Typ.) - 12 在V GS = - 4.5V时为 0.032 - 6 a 20 nC 在V GS = - 2.5V时为 0.040 - 6 a 在V GS = - 1.8V时为 0.052 - 6 a订购信息:Si5475DDC-T1-GE3(无铅和无卤素)标记代码 BR XXX批次追溯和日期代码 Part#码底视图 1206-8 ChipFET d d d G d d d小号 1小号 G d P沟道MOSFET笔记:一个.包裹有限.湾表面安装在1“x 1”FR4板上. C. t = 5秒. d. 请参阅焊料配置文件( htp://www.vishay.com/ppg?73257 ). 1206-8 ChipFET是无铅封装. 引线端子的末端是暴露的铜(未镀)作为单一制造过程的结果.暴露的铜尖端的焊料圆角不能得到保证不需要确保足够的底面焊料互连.即返修条件:不建议使用烙铁手动焊接无铅元件. F.在稳态条件下的最大值为95°C / W. 绝对最大额定值T A = 25°C,除非另有说明参数符号限制单元漏源电压 V DS - 12 V门源电压 V GS ±8 连续漏极电流(T J = 150°C) T C = 25℃ 我 D - 6 a一个 T C = 70℃ - 6 a T A = 25℃ - 6 a,b,c T A = 70℃ - 5.6 b,c脉冲漏电流 我 DM - 20连续的源极 - 漏极二极管电流 T C = 25℃ 我 S - 4.8 T A = 25℃ - 1.9 b,c最大功率耗散 T C = 25℃ P D. 5.7 w ^ T C = 70℃ 3 T A = 25℃ 2.3 b,c T A = 70℃ 1.2 b,c结温和存储温度范围 T J ,T stg - 55至150 C 焊接建议(峰值温度) d,e 260热阻评级参数符号典型最大单元 最大结到环境 b,f ? ≤
SI5475DDC-T1-GE3关联型号
机译版中文资料(1/7) 英文原版数据手册(1/7)

*SI5475DDC-T1-GE3中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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