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MOS(场效应管)/SI5513CDC-T1-GE3
商品型号:SI5513CDC-T1-GE3

起售量(pcs)价格
1~9个¥6.41/个 (折合1盘19230元)
10~29个¥5.73/个 (折合1盘17190元)
30~99个¥5.38/个 (折合1盘16140元)
已售出: 8297个 (1盘有3000个) 货期:1天
数量:
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  • 商品名称:SI5513CDC-T1-GE3
  • 商品品牌:VISHAY(威世)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    SI5513CDC-T1-GE3

  • 封装规格:1206x8
  • 商品编号:SL00230
  • 商品重量:0.000100kg
SI5513CDC-T1-GE3中文资料
SI5513CDC-T1-GE3中文资料第14页精选内容: AN812 VISHAY SILICONIX WWW.VISHAY.COM 2文件号:71127 12日 - 12月03董事会前面董事会的后面图3. VISHAY.COM CHIPFETR热性能结到脚热阻(封装性能)测量的1206-8 CHIPFET的热性能结到脚的热阻一般为30°C / W,40°C / W双设备的最大值. “脚”是排水的领导者设备,因为它与身体连接.这是双重的 SO-8封装R QJF的 性能,成就了一个壮举缩短导致他们成为只有一个点总占地面积的一小部分.结到环境热阻 (取决于PCB的大小) 双通道1206-8 CHIPFET 的典型R QJA 是 90_C / W稳定状态,与SO-8相同.最大额定值对于1206-8和SO-8都是110℃/ W.两个包在1平方的PCB上具有相当的热性能与1206-8双封装占地面积的四分之一身体面积,考虑董事会面积的一个重要因素.测试为了进一步帮助进行比较,图4显示了CHIPFET 1206-8在两种不同的电路板尺寸上的双重散热性能三种不同的垫模式.结果显示热表现出稳定状态并产生图形考虑如何增加排水的铜垫面积连接可以提高散热性能.该 测量 双1206-8 的R QJA的 稳态值 CHIPFET是: 1)最小的建议垫模式(见图2)在评估板上的大小 0.5英寸X 0.6英寸 185_C / W 2)与垫图案的评估板如图3所示. 128_C / W 3)行业标准1“方形PCB与最大铜双方. 90_C / W结果表明,可以在重大的减少通过增加铜漏区的热阻.在这例如,57_C / W的减少量不必如此增加电路板的尺寸.如果增加董事会规模是一个选项,进一步降低38_C / W最大限度地扩大1“平方的排水铜 PCB.时间(秒)图4.双1206-8 CHIPFET 0 1 200 40 80 100 1000 120 10 10 -1 10 -2 10 -3 10 -4 10 -5 1“方形PCB双EVB闵.脚印 160概要双通道1206-8 CHIPFET的散热结果封装显示相同的功耗性能 SO
SI5513CDC-T1-GE3关联型号
机译版中文资料(1/16) 英文原版数据手册(1/16)

*SI5513CDC-T1-GE3中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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