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MOS(场效应管)/SI5513CDC-T1-GE3
商品型号:SI5513CDC-T1-GE3

参考起售量(pcs)参考价格
1~49个¥1.44/个 (折合1盘4320元)
50~99个¥1.21/个 (折合1盘3630元)
100~499个¥1.14/个 (折合1盘3420元)
500 个以上¥1.1/个 (折合1盘3300元)
品牌:VISHAY(威世)
封装:CHIPFET-8
货期:1天
已售出: 8297个 (1盘有3000个)
库存数量:0 个(可订货)

  • 商品名称:SI5513CDC-T1-GE3
  • 商品品牌:VISHAY(威世)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    SI5513CDC-T1-GE3

  • 封装规格:CHIPFET-8
  • 商品编号:SL00230
  • 商品重量:0.000100克
SI5513CDC-T1-GE3中文资料
AN812 Vishay Siliconix文件编号:71127 12日 - 12月03 www.vishay.com 1推荐使用双通道1206-8 ChipFETr功率MOSFET垫片图案和热性能介绍新的Vishay Siliconix ChipFETs在无引导1206-8封装功能与流行的1206-8电阻相同和电容器,但提供所有的真实功率的性能半导体器件. 1206-8 ChipFET具有相同的功能足迹作为LITTLE FOOTR TSOP-6的身体,并且可以被认为是无引导TSOP-6的可视化目的板面积,但其热性能进行比较与更大的SO-8.本技术说明讨论了双芯片FET 1206-8引脚,封装外形,焊盘图案,评估板布局和热性能. PIN-OUT图1显示了引脚输出描述和引脚1标识用于双通道1206-8 ChipFET器件.引脚是类似于TSOP-6配置,有两个额外的漏极引脚以增强功耗并因此增加热量性能.设备的腿很短,再次有助于减少外部散热片/ pcb的热路径并且如果需要,允许在该装置中安装较大的模具.图1.双1206-8 ChipFET S 1 G 1 S 2 D 1 D 1 D 2 G 2 D 2关于封装尺寸,请参阅1206-8 ChipFET封装 大纲图( http://www.vishay.com/doc?71151 ).基本PAD图案应用程序中显示了具有尺寸的基本焊盘布局注826,推荐最小焊盘图案画画访问对于 Vishay Siliconix的MOSFET, ( http://www.vishay.com/doc?72286 ). 这是足够低的功耗MOSFET应用,但功率半导体性能需要更大的铜焊盘面积,特别是排水引线.图2.铜蔓延的脚印 80密耳 43密耳 10密耳 26密耳 18密耳 25密耳具有铜扩散的焊盘图案如图2所示改善排水连接的热面积(销5和 6,针7和8),同时保持在基本的范围内脚印.排水铜面积为0.0019平方英寸 1.22平方毫米.这将有助于消除功耗从设备(
SI5513CDC-T1-GE3关联型号
机译版中文资料(1/16) 英文原版数据手册(1/16)

*SI5513CDC-T1-GE3中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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