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MOS(场效应管)/SI7115DN-T1-GE3
商品型号:SI7115DN-T1-GE3 PDF数据手册)

参考起售量(pcs)参考价格
1~49个¥5.25/个 (折合1盘15750元)
50~99个¥4.44/个 (折合1盘13320元)
100~499个¥4.16/个 (折合1盘12480元)
500 个以上¥4.04/个 (折合1盘12120元)
品牌:VISHAY(威世)
封装:PowerPAK-1212-8
货期:1天
已售出: 5634个 (1盘有3000个)
库存数量:0 个(可订货)

  • 商品名称:SI7115DN-T1-GE3
  • 商品品牌:VISHAY(威世)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    SI7115DN-T1-GE3

  • 封装规格:PowerPAK-1212-8
  • 商品编号:SL00397
  • 商品重量:0.000100kg
SI7115DN-T1-GE3中文资料
SI7115DN-T1-GE3中文资料第10页精选内容: Vishay Siliconix AN822文件号71681 03 - 06 www.vishay.com 3热性能介绍器件热性能的基本测量方法是结至外壳的热阻R θjc,或者结到脚的热阻,R θjf.这个参数测量安装到无限热量的装置下沉,因此是设备的特征换句话说,独立的属性的该设备安装到的对象.表1显示了一个 PowerPAK 1212-8,PowerPAK SO-8,标准TSSOP-8和SO-8等效稳态性能.通过最小化结到脚的热阻, MOSFET管芯温度非常接近温度 - 印刷电路板.考虑四个设备上安装板温为45°C的PC板(图4).假设每个设备耗散2 W.使用junc-对脚的热阻特性 PowerPAK 1212-8和其他SMT封装 Pow的温度被确定为49.8°C, erPAK 1212-8,85℃为标准SO-8,149℃为标准TSSOP-8和TSOP-6为125°C.这是一个电源电压超过电路板温度4.8°C, PAK 1212-8,其他SMT封装温度超过40°C.一个 上升4.8°C对r DS(ON) 影响最小, 而上升 幅度 最小 超过40°C将会导致r DS(ON) 增加为20%.传播铜设计师增加额外的铜,铺铜排水垫有助于从设备传导热量.它有助于了解有关散热的一些信息表现为给定区域铺铜.图5和图6显示了a的热阻 PowerPAK 1212-8安装在单个和双个设备上一个2英寸 x 2英寸,四层FR-4 PC板.两个机构间, nal层和背面层是固体铜.该内层被选为固体铜来模拟在许多应用中常见的大功率和地平面,阳离子.顶层被削减到一个较小的面积和在每一步的结到环境热阻测量被采取了.结果表明一个面积在0.2至0.3平方英寸以上的铺展铜没有提供额外的热性能改善.随后的实验是在铜上运行的背面减少,首先到50%的条纹模仿电路痕迹,然后完全去除.没有signif-观察到了有效的效果.表1:独特的稳定状态表现包 SO-8 TSSOP-8 TSOP-8 PPAK 12
SI7115DN-T1-GE3关联型号
机译版中文资料(1/13) 英文原版数据手册(1/13)

*SI7115DN-T1-GE3中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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