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MOS(场效应管)/SI7115DN-T1-GE3
商品型号:SI7115DN-T1-GE3 PDF数据手册)

参考起售量(pcs)参考价格
1~49个¥4.52/个 (折合1盘13560元)
50~99个¥3.83/个 (折合1盘11490元)
100~499个¥3.58/个 (折合1盘10740元)
500 个以上¥3.48/个 (折合1盘10440元)
品牌:VISHAY(威世)
封装:PowerPAK-1212-8
货期:1天
已售出: 5634个 (1盘有3000个)
库存数量:0 个(可订货)

SL00397.pdf
SI7115DN-T1-GE3数据手册
  • 商品名称:SI7115DN-T1-GE3
  • 商品品牌:VISHAY(威世)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    SI7115DN-T1-GE3

  • 封装规格:PowerPAK-1212-8
  • 商品编号:SL00397
  • 商品重量:0.000100克
SI7115DN-T1-GE3中文资料
Vishay Siliconix AN822文件编号71681 03 - 06 www.vishay.com 3热性能介绍设备的热性能的基本测量是结到外壳的热阻R θjc或结对热阻,R θjf.这个参数被测量为安装到无限热的设备因此是设备的特性只有,换句话说,独立于属性该装置所安装的对象.表1显示a PowerPAK 1212-8,PowerPAK SO-8,标准TSSOP-8和SO-8等效稳态性能.通过最小化结到脚的热阻, MOSFET管芯温度非常接近温度 - PC板的原理.考虑安装四个设备板温度为45°C的PC板(图4).假设每个设备耗散2 W.使用junc-的对 - 脚热阻特性 PowerPAK 1212-8和其他SMT封装,die对于Pow- erPAK 1212-8,标准SO-8为85°C,149°C标准TSSOP-8和125°C的TSOP-6.这是一个 4.8°C以上高于电路板温度, PAK 1212-8,其他SMT封装超过40°C.一个 4.8℃升高对r DS(ON)的 影响最小, 而上升 超过40°C会导致r DS(ON) 升高为20%.传播铜设计人员加入铜,传播铜排水垫,以帮助从设备传导热量.它有一些有关热量的信息是有帮助的对于给定区域的铜的性能??.图5和图6显示了a的热阻 PowerPAK 1212-8安装了单和双设备一个2英寸 x 2英寸四层FR-4 PC板.两个inter-正面层和背面层是固体铜.该选择内层作为固体铜来模拟大功率和地面飞机在许多应用中常见,阳离子.顶层被切割回较小的区域在每一步结到环境的热阻进行了测量.结果表明,面积在0.2?0.3平方英寸以上的扩散铜不会增加额外的热性能.随后的实验运行在铜上背面减少了,首先是50%的条纹模拟电路迹线,然后完全去除.没有意义 - 观察到发烟效应.表1:均衡的稳态性能包 SO-8 TSSOP-8 TSOP-8 PPAK 1212 PPAK SO-8组态单双单双单双单双单双 热敏电阻R thJC (
SI7115DN-T1-GE3关联型号
机译版中文资料(1/13) 英文原版数据手册(1/13)

*SI7115DN-T1-GE3中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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