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MOS(场效应管)/SI7938DP-T1-GE3
商品型号:SI7938DP-T1-GE3 PDF数据手册)

参考起售量(pcs)参考价格
1~49个¥6.15/个 (折合1盘18450元)
50~99个¥5.21/个 (折合1盘15630元)
100~499个¥4.88/个 (折合1盘14640元)
500 个以上¥4.73/个 (折合1盘14190元)
品牌:VISHAY(威世)
封装:SOIC-8
货期:1天
已售出: 5990个 (1盘有3000个)
库存数量:0 个(可订货)

  • 商品名称:SI7938DP-T1-GE3
  • 商品品牌:VISHAY(威世)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    SI7938DP-T1-GE3

  • 封装规格:SOIC-8
  • 商品编号:SL00083
  • 商品重量:0.000100kg
SI7938DP-T1-GE3中文资料
文件号码:65365 S09-1923-REV. A,2009年9月28日 www.vishay.com 3 Vishay Siliconix Si7938DP新产品典型特性25°C,除非另有说明输出特性导通电阻与漏极电流和栅极电压门收费 0 20 40 60 80 0.0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 V DS - 漏源电压(V) V GS = 10 V至4 V V GS = 3V 0.004 0.005 0.006 0.007 0.008 020 40 60 80 我 D - 漏电流(A) V GS = 4.5V V GS = 10V 0 2 4 6 8 10 0 10203040 50 我 D = 18.5 A Q g - 总闸电荷(nC) V DS = 30V V DS = 20V V DS = 10V转移特性电容导通电阻与结温 0 2 4 6 8 10 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 V GS - 栅极 - 源极电压(V) T C = 25℃ T C = 125℃ T C = - 55℃ C rss 0 600 1200 1800 2400 3000 010 20三十 40 C iss V DS - 漏源电压(V) C oss 0.5 0.9 1.3 1.7 2.1 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 T J - 结温(°C) V GS = 4.5V 我 D = 18.5 A V GS = 10V
SI7938DP-T1-GE3关联型号
机译版中文资料(1/13) 英文原版数据手册(1/13)

*SI7938DP-T1-GE3中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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