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MOS(场效应管)/SIHG20N50C-E3 管装
商品型号:SIHG20N50C-E3 PDF数据手册)

参考起售量(pcs)参考价格
1~9件¥7.54/件 (折合1管188.5元)
10~29件¥5.99/件 (折合1管149.75元)
30~99件¥5.69/件 (折合1管142.25元)
100 件以上¥5.41/件 (折合1管135.25元)
品牌:VISHAY(威世)
封装:TO-247(AC)
货期:1天
已售出: 6946件 (1管有25件)
库存数量:0 件(可订货)

B1061431.pdf
SIHG20N50C-E3数据手册
  • 商品名称:SIHG20N50C-E3 管装
  • 商品品牌:VISHAY(威世)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    SIHG20N50C-E3

  • 封装规格:TO-247(AC)
  • 商品编号:B1061431
  • 商品重量:0.006215克
SIHG20N50C-E3中文资料
文件编号:91382 www.vishay.com S11-0440-REV. C,14-Mar-11 1本数据表如有更改,恕不另行通知. 此处描述的产品和本数据表受特定免责声明的约束, 请参见www.vishay.com/doc?91000功率MOSFET SiHG20N50C Vishay Siliconix特征 ?无卤素根据IEC 61249-2-21定义 ? x Q g 上的 低品质R ?100%雪崩测试 ?高峰值电流能力 ?dV / dt坚固 ?改进的T rr / Q rr ?改善门极电荷 ?大功率耗散能力 ?符合RoHS指令2002/95 / EC笔记一个.重复评级;脉冲宽度受最大结温限制. 湾 V DD = 50V,起始T J = 25℃,L = 2.5mH,R g = 25 Ω,I AS = 17 A. C. 我 SD ≤18A,dI / dt≤380 A /μs,V DD≤VDS ,T J≤150°C.天.距离情况1.6毫米.即受最大结温限制.产品概要 V DS (V)在T J max. 560 R DS(on) ( Ω)V GS = 10V 0.270 Q g (最大)(nC) 76 Q gs (nC) 21 Q gd (nC) 34组态单 N沟道MOSFET G e小号 TO-247AC G e小号订购信息包 TO-247AC无铅(Pb) SiHG20N50C-E3无铅(Pb)和无卤素 SiHG20N50C-GE3 绝对最大额定值(T C = 25°C,除非另有说明)参数符号限制单元漏源电压 V DS 500 V栅源电压 V GS ±30 连续漏极电流(T J = 150°C) e V GS 在10 V T C = 25°C 我 D 20一个 T C = 100℃ 11 脉冲排水电流 a 我 DM 80线性降额系数 1.8厕所 单脉冲雪崩能量 b E AS 361兆焦耳最大耗散功率 P D 250 w ^ 峰值二极管恢复dV / dt c的dV / dt五 V / NS工作结温和存储温度范围 T J ,T stg - 55至+ 150 C焊接建议(峰值温度) 10秒 300 d耐热等级参数符号 TYP. MAX.单元最大结到环境 R thJA -40 °C / W最大接合点(排水) R thJ
SIHG20N50C-E3关联型号
机译版中文资料(1/8) 英文原版数据手册(1/8)

*SIHG20N50C-E3中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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