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晶体管/场效应管(MOSFET)/SIHG20N50C-E3 管装

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  • 海外库存:6178 件(一管有25件)
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  • E络盟库存:796 件(一管有25件)
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  • TME库存:497 件(一管有25件)
    货期:2-15天发货
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  • SIHG20N50C-E3
    在售
    TO-247(AC)
    SIHG20N50C-E3DATASHEET
    B1061431
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 VISHAY(威世)
    封装 TO-247(AC)
    包装
    FET类型 N通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 500V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 20A(Tc)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 270毫欧@10A,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 5V@250μA
    Vgs(最大值) ±30V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2942pF@25V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 250W(Tc)
    工作温度 -55℃~150℃(TJ)
    基本产品编号 SIHG20
    产品应用 汽车级
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 76nC@10V
    HTSUS 8541.29.0095
    ECCN EAR99
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    RoHS状态 符合ROHS3规范
    安装类型 通孔
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    封装:TO-247AC
    产品状态:在售
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