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MOS(场效应管)/SIHP18N50C-E3 管装
商品型号:SIHP18N50C-E3 PDF数据手册)

起售量(pcs)价格
1~9件¥8.09/件 (折合1管404.5元)
10~29件¥5.9/件 (折合1管295元)
30~99件¥5.36/件 (折合1管268元)
100~499件¥4.85/件 (折合1管242.5元)
500 件以上¥4.69/件 (折合1管234.5元)
已售出: 6128件 (1管有50件) 货期:1天
数量:
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  • 商品名称:SIHP18N50C-E3 管装
  • 商品品牌:VISHAY(威世)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    SIHP18N50C-E3

  • 封装规格:TO-220(TO-220-3)
  • 商品编号:B1061860
  • 商品重量:0.002690kg
SIHP18N50C-E3中文资料
www.vishay.com文件编号:91374 2 S11-0520-REV. D,21-Mar-11本数据表如有更改,恕不另行通知. 此处描述的产品和本数据表受特定免责声明的约束, 请访问www.vishay.com/doc?91000 SiHP18N50C Vishay Siliconix注意一个.重复评级;脉宽受最大结温限制.这里显示的信息是初步产品建议,而不是商业产品数据表. Vishay Siliconix不承诺生产此类或类似产品产品.此信息不应用于设计目的,也不应被视为提供或销售此类产品的要约.热阻评级参数符号 TYP. MAX.单元最大结到环境 TO-220 R thJA -62 °C / W最大结到外壳(排水) TO-220 R thJC -0.56 规格(T J = 25°C,除非另有说明)参数符号测试条件 MIN. TYP. MAX.单元静态的漏源击穿电压 V DS V GS = 0V,I D =250μA 500 - - V V DS 温度系数 ?V DS / T J 参考25°C,I D = 1 mA - 0.6 - V /℃的栅源阈值电压(N) V GS(th) V DS = V GS ,I D =250μA 3.0 - 5 V门源泄漏 我 GSS V GS =±30 V - - ±100 nA的零栅极电压漏极电流 我 DSS V DS = 500V,V GS = 0V - - 25 μA V DS = 400V,V GS = 0V,T J = 125℃ - - 250漏源导通电阻 R DS(上) V GS = 10V 我 D = 10 A. - 0.225 0.270 ? 正向跨导 a g fs V DS = 50V,I D = 10A - 6.4 - 小号动态输入电容 C iss V GS = 0 V, V DS = 25V, f = 1.0MHz - 2451 2942 pF的输出电容 C oss - 300 360反向传输电容 C rss -26 32内部门电阻 R g f = 1.0 MHz,漏极开路 - 1.1 - ?总门电荷 Q g V GS = 10V I D = 18A,V DS = 400V -65 76 NC门源电荷 Q gs -21 - 门排水费 Q gd -29 - 开启延迟时间 t d(on) V DD = 250V,I D = 18
SIHP18N50C-E3关联型号
机译版中文资料(1/9) 英文原版数据手册(1/9)

*SIHP18N50C-E3中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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