顶部
您当位置: 首页>晶体管>MOS(场效应管)

MOS(场效应管)/SIHP18N50C-E3 管装
商品型号:SIHP18N50C-E3 PDF数据手册)

起售量(pcs)价格
1~9件¥7.08/件 (折合1管354元)
10~29件¥5.63/件 (折合1管281.5元)
30~99件¥5.36/件 (折合1管268元)
100 件以上¥5.09/件 (折合1管254.5元)
已售出: 6128件 (1管有50件) 货期:1天
数量:
X 0 = 0.0 库存数量:3 件(可订货)

B1061860.pdf
SIHP18N50C-E3数据手册
  • 商品名称:SIHP18N50C-E3 管装
  • 商品品牌:VISHAY(威世)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    SIHP18N50C-E3

  • 封装规格:TO-220(TO-220-3)
  • 商品编号:B1061860
  • 商品重量:0.002690克
SIHP18N50C-E3中文资料
文件编号:91374 www.vishay.com S11-0520-REV. D,21-Mar-11 1本数据表如有更改,恕不另行通知. 此处描述的产品和本数据表受特定免责声明的约束, 请参见www.vishay.com/doc?91000功率MOSFET SiHP18N50C Vishay Siliconix特征 ? x Q g 上的 低品质R ?100%雪崩测试 ?高峰值电流能力 ?dV / dt坚固 ?改进了t rr / Q rr ?改善门极电荷 ?大功率耗散能力 ?符合RoHS指令2002/95 / EC笔记一个.漏极电流受最大结温限制.湾重复评级;脉冲宽度受最大结温限制. C. V DD = 50V,起始T J = 25℃,L = 2.5mH,R g = 25℃,I AS = 17A. 天. I SD?18 A,dI / dt?380 A /μs,V DD?V DS ,T J?150°C.即距离情况1.6毫米.产品概要 V DS (V)在T J max. 560 R DS(on) (?)V GS = 10 V 0.225 Q g (最大)(nC) 76 Q gs (nC) 21 Q gd (nC) 29组态单 N沟道MOSFET G e小号 TO-220AB G e小号订购信息包 TO-220AB无铅(Pb) SiHP18N50C-E3 绝对最大额定值(T C = 25°C,除非另有说明)参数符号限制单元漏源电压 V DS 500 V栅源电压 V GS ±30 连续漏极电流(T J = 150°C) a V GS 在10 V T C = 25°C 我 D 18一个 T C = 100℃ 11 脉冲排水电流 b 我 DM 72线性降额系数 TO-220AB 1.8厕所 单脉冲雪崩能量 c E AS 361兆焦耳最大耗散功率 TO-220AB P D 223 w ^ 峰值二极管恢复dV / dt d的dV / dt五 V / NS工作结温和存储温度范围 T J ,T stg - 55至+ 150 C 焊接建议(峰值温度) d 10秒 300 *含铅终端不符合RoHS标准,可能适用豁免
SIHP18N50C-E3关联型号
机译版中文资料(1/9) 英文原版数据手册(1/9)

*SIHP18N50C-E3中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

共9页,到第