顶部
您当位置: 首页>晶体管>MOS(场效应管)

MOS(场效应管)/SIR460DP-T1-GE3
商品型号:SIR460DP-T1-GE3 PDF数据手册)

参考起售量(pcs)参考价格
1~49个¥2.34/个 (折合1盘7020元)
50~99个¥1.98/个 (折合1盘5940元)
100~499个¥1.85/个 (折合1盘5550元)
500 个以上¥1.8/个 (折合1盘5400元)
品牌:VISHAY(威世)
封装:SOIC-8
货期:1天
已售出: 8157个 (1盘有3000个)
库存数量:0 个(可订货)

SL00496.pdf
SIR460DP-T1-GE3数据手册
  • 商品名称:SIR460DP-T1-GE3
  • 商品品牌:VISHAY(威世)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    SIR460DP-T1-GE3

  • 封装规格:SOIC-8
  • 商品编号:SL00496
  • 商品重量:0.000100克
SIR460DP-T1-GE3中文资料
Vishay Siliconix SiR460DP新产品文件编号:69095 S09-0140-REV. A,02-Feb-09 www.vishay.com 1 N沟道30 V(DS)MOSFET特征 ?无卤素根据IEC 61249-2-21 ? TrenchFET? 第三代功率MOSFET ? 100%R g 测试 ? 100%雪崩测试应用 ?笔记本Vcore ? DC / DC产品概要 V DS (V) R DS(开) (Ω) 我 D (A)一个 Q g (Typ.)三十 0.0047 V GS = 10 V 40 克 16.8 nC V GS = 4.5 V时为 0.0061 40 克订购信息:SiR460DP-T1-GE3(无铅无铅) 1 2 3 4五 6 7 8小号小号小号 G e e e e 6.15毫米 5.15毫米 PowerPAK SO-8底视图 N沟道MOSFET G e小号笔记: 一个. 基于T C = 25°C.湾表面安装在1“x 1”FR4板上. C. t = 10 s.天.参见Solder Profile(www.vishay.com/ppg?73257). PowerPAK SO-8是无引线封装.引线端子的端部暴露铜 (未镀)作为制造中的切割过程的结果.暴露的铜尖端的焊锡圆角不能保证,而不是需要确保足够的底侧焊料互连.即返修条件:不推荐使用烙铁手动焊接无引线元件. F.稳态条件下的最大值为65°C / W. G.包装有限公司 绝对最大额定值T A = 25°C,除非另有说明参数符号限制单元漏源电压 V DS三十 V栅源电压 V GS ±20 连续漏极电流(T J = 150°C) T C = 25°C 我 D 40 克一个 T C = 70℃ 40 克 T A = 25℃ 24.3 b,c T A = 70℃ 19.4 b,c脉冲漏极电流 我 DM 70连续源极漏极二极管电流 T C = 25°C 我是 40 克 T A = 25℃ 4.5 b,c单脉冲雪崩电流 L = 0.1mH 我 AS三十单脉冲雪崩能量 E AS 45兆焦耳最大耗散功率 T C = 25°C P D 48 w ^ T C = 70℃ 31 T A = 25℃ 5.0 b,c T A = 70℃ 3.2 b,c工作结温和存储温度
SIR460DP-T1-GE3关联型号
机译版中文资料(1/9) 英文原版数据手册(1/9)

*SIR460DP-T1-GE3中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

共9页,到第