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晶体管/场效应管(MOSFET)/SIS444DN-T1-GE3

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  • SIS444DN-T1-GE3
    在售
    PowerPAK? 1212-8
    SIS444DN-T1-GE3DATASHEET
    VISHAY1825036259
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 VISHAY(威世)
    封装 PowerPAK? 1212-8
    FET类型 N通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 30V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 35A(Tc)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.3毫欧@10A,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.3V@250μA
    Vgs(最大值) ±20V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3065pF@15V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 52W(Tc)
    工作温度 -55℃~150℃(TJ)
    基本产品编号 SIS444
    产品应用 汽车级
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 102nC@10V
    HTSUS 8541.29.0095
    ECCN EAR99
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    安装类型 表面贴装型
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