| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) | |
| 封装 | UFM-3 | |
| 包装 | 盘 | |
| FET类型 | N通道 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | |
| 25℃时电流-连续漏极(Id) | 4.2A（Ta） | |
| 驱动电压（最大RdsOn,最小RdsOn） | 1.5V,4V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） | 28毫欧@3A,4V | |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） | 1V@1mA | |
| Vgs（最大值） | ±10V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值） | 1010pF@10V | |
| FET功能 | - | |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） | |
| 工作温度 | 150℃（TJ） | |
| 基本产品编号 | SSM3K123 | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值） | 13.6nC@4V | |
| HTSUS | 8541.21.0095 | |
| ECCN | EAR99 | |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1（无限） | |
| RoHS状态 | 符合RoHS规范 | |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
关注公众号，优惠活动早知道！
Copyright ©2023 wlxmall.com万联芯城版权所有 | 电信与信息服务业务经营许可证100798号 | 粤ICP备14012234号 | 投诉建议
客服电话：4000-306-326 文明办网文明上网举报电话：010-82615762 违法不良信息举报中心
| * 我的问题/建议： | |
| * 联系电话： | |
| 上传图片（选填）： |
请您提交2M以内的jpg,gif,png格式文件 |
| 投诉订单号（选填）： | |
购物车中还没有商品，赶紧选购吧！
DATASHEET
