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集成电路/STB3NC90Z
商品型号:STB3NC90Z

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品牌:ST(意法半导体)
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  • 商品名称:STB3NC90Z
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    STB3NC90Z

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181407125
  • 商品重量:0.000100kg
STB3NC90Z中文资料
STB3NC90Z中文资料第3页精选内容: 3/9 STB3NC90Z电气特性(续)打开正在关掉源二极管门源齐纳二极管注意:1.脉冲:脉冲持续时间= 300μs,占空比1.5%. 2.脉冲宽度受安全操作区域的限制. 3. ΔVBV =αT(25°-T)BV GSO (25°)栅源齐纳二极管的保护特性内置的背靠背齐纳二极管专门设计用于增强器件的性能 ESD能力,同时也使他们能够安全地吸收偶尔可能出现的瞬态电压从门到源应用.在这方面,25V齐纳电压适合于实现高效以及经济高效的干预手段来保护设备的完整性.这些集成齐纳二极管因此避免外部组件的使用.符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 t d(on)开启延迟时间上升时间 V DD = 450V,I D = 1.5A R G =4.7ΩV GS = 10V (见测试电路,图3) 28 NS t r 14 NS Q g总门电荷 V DD = 720V,I D = 3A, V GS = 10V 27 38 NC Q gs门源电荷 8 NC Q gd门排水费 10 NC符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 t r(Voff)关闭电压上升时间 V DD = 720V,I D = 3 A, R G =4.7Ω,V GS = 10V (见测试电路,图5) 16 NS t f下降时间 10 NS t c交叉时间 18 NS符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 我 SD源漏电流 3.5一个 我 SDM (2)源漏电流(脉冲) 14一个 V SD (1)正向电压 I SD = 3 A,V GS = 0 1.6 V t rr反向恢复时间 I SD = 3A,di / dt = 100A /μs, V DD = 100V,T j = 150℃ (见测试电路,图5) 712 NS Q rr反向恢复费用 4450 μC 我 RRM反向恢复电流 13一个符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 BV GSO门源细分电压 Igs =±1mA(漏极开路) 25 V αT电压热系数 T = 25°C注(3) 1.3 10 -4 /℃ RZ动态阻力 我 D = 50毫安 90 Ω
STB3NC90Z关联型号
机译版中文资料(1/9) 英文原版数据手册(1/9)

*STB3NC90Z中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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