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集成电路/STB4NB80
商品型号:STB4NB80

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品牌:ST(意法半导体)
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  • 商品名称:STB4NB80
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    STB4NB80

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181408662
  • 商品重量:0.000100kg
STB4NB80中文资料
STB4NB80中文资料第2页精选内容:热数据 TO-263 TO-262 R thj-case热阻结案马克斯 1 3.6 o C / W R thj-amb R th-sink T l热阻结 - 环境马克斯热电阻箱典型用于焊接目的的最大引线温度 62.5 0.5 300 o C / W o C / W C雪崩特性符号参数最大值单元 我 AR雪崩电流,重复或不重复 (脉冲宽度由T j max 限制 ) 4A E AS单脉冲雪崩能量 (从T j = 25开始 C,I D = I AR ,V DD = 50V) 230兆焦耳 电气特性(T case = 25 o C除非另有规定)关闭符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 V (BR)DSS漏 - 源击穿电压 我 D = 250 μA V GS = 0 800 V 我 DSS零栅极电压 漏极电流(V GS = 0) V DS =最大额定值 V DS =最大额定值 T c = 125 C 1 50 μA μA 我 GSS门体泄漏 电流(V DS = 0) V GS = ±30 V ±100 nA的上 ( *)符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 V GS(th)门限电压 V DS = V GS 我 D = 250 μA 34五 V R DS(上)静态排水源开启抵抗性 V GS = 10V 我 D = 2 A. 3 3.3 Ω 我 D(上) 关于状态漏极电流V DS > I D(on) x R DS(on)max V GS = 10V 4A动态符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 g fs ( *)前锋跨 V DS > I D(on) ×R DS(on)max 我 D = 2 A. 1.8小号 C iss C oss C rss输入电容输出电容反向传输电容 V DS = 25V f = 1MHz V GS = 0 700 95 9 920 126 12 pF的 pF的 pF的 STB4NB80 2/6
STB4NB80关联型号
机译版中文资料(1/6) 英文原版数据手册(1/6)

*STB4NB80中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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