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集成电路/STD3PK50Z
商品型号:STD3PK50Z

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品牌:ST(意法半导体)
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  • 商品名称:STD3PK50Z
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    STD3PK50Z

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181406245
  • 商品重量:0.000100kg
STD3PK50Z中文资料
STD3PK50Z中文资料第5页精选内容: STD3PK50Z电气特性 Doc ID 18280 Rev 2 5/15内置的背对背齐纳二极管专门设计用于不仅提高该器件的ESD能力,同时也使其能够安全地吸收可能的瞬态电压这可能偶尔会从门到源应用.在这方面,齐纳电压是适当地实现有效和有成本效益的干预来保护设备完整性.这些集成齐纳二极管避免了外部元件的使用.注意:对于P沟道功率MOSFET,电压和电流的实际极性必须是逆转.表6切换时间符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 t d(on) t r t d(关闭) t f开启延迟时间上升时间关闭延迟时间下降时间 V DD = 250V,I D = 1.4A, R G =4.7Ω,V GS = 10V (见图13) - 16 15 46 26 - NS NS NS NS表7源漏二极管符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 我 SD 我 SDM源漏电流源极 - 漏极电流(脉冲) - 2.8 11.2嘛一个 V SD (1) 1.脉冲:脉冲持续时间=300μs,占空比1.5%正向电压 I SD = 2.8 A,V GS = 0 - 1.5 V t rr Q rr 我 RRM反向恢复时间反向恢复费用反向恢复电流 I SD = 2.8A,V DD = 60V di / dt = 100A /μs, (见图15) - 220 1600 14 NS NC一个 t rr Q rr 我 RRM反向恢复时间反向恢复费用反向恢复电流 I SD = 2.8A,V DD = 60V di / dt = 100A /μs, Tj = 150℃ (见图15) - 280 2100 15 NS NC一个表8栅源齐纳二极管符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 BV GSO栅极击穿电压Igs±1mA,(漏极开路)三十 - V
STD3PK50Z关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*STD3PK50Z中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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