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MOS(场效应管)/STF6N95K5
商品型号:STF6N95K5 PDF数据手册)

参考起售量(pcs)参考价格
1~49个¥5.77/个
50~99个¥4.88/个
100~499个¥4.57/个
500 个以上¥4.44/个
品牌:ST(意法半导体)
封装:TO-220FP
货期:1天
已售出: 7231个
库存数量:0 个(可订货)

  • 商品名称:STF6N95K5
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    STF6N95K5

  • 封装规格:TO-220FP
  • 商品编号:SL00303
  • 商品重量:0.000100kg
STF6N95K5中文资料
STF6N95K5中文资料第5页精选内容: STD6N95K5,STF6N95K5,STP6N95K5,STW6N95K5,STU6N95K5电气特性 Doc ID 16958 Rev 3 5/23内置的背靠背齐纳二极管专门设计用于不仅提高该器件的ESD能力,同时也使其能够安全地吸收可能的瞬态电压这可能偶尔会从门到源应用.在这方面,齐纳电压是适当地实现有效和有成本效益的干预来保护设备完整性.这些集成齐纳二极管避免了外部元件的使用.表6切换时间符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 t d(on) t r t d(关闭) t f开启延迟时间上升时间关闭延迟时间下降时间 V DD = 475V,I D = 3A, R G =4.7Ω,V GS = 10V (见图22) - 12 12 33 21 - NS NS NS NS表7源漏二极管符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 我 SD 我 SDM源漏电流源极 - 漏极电流(脉冲) - 9 36一个一个 V SD (1) 1.脉冲:脉冲持续时间=300μs,占空比1.5%正向电压 I SD = 6 A,V GS = 0 - 1.6 V t rr Q rr 我 RRM反向恢复时间反向恢复费用反向恢复电流 I SD = 6A,V DD = 60V di / dt = 100A /μs, (见图21) - 372 4 22 NS μC一个 t rr Q rr 我 RRM反向恢复时间反向恢复费用反向恢复电流 I SD = 6A,V DD = 60V di / dt = 100A /μs, Tj = 150℃ (见图21) - 522五 20 NS μC一个表8栅源齐纳二极管符号参数测试条件敏典型.最大.单元 V (BR)GSO 栅源击穿电压Igs±1mA,I D = 0三十 - V
STF6N95K5关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*STF6N95K5中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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