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集成电路/STGB6NB60HD
商品型号:STGB6NB60HD

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品牌:ST(意法半导体)
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  • 商品名称:STGB6NB60HD
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    STGB6NB60HD

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181407295
  • 商品重量:0.000100kg
STGB6NB60HD中文资料
STGB6NB60HD中文资料第4页精选内容: 2电气特性 STGB6NB60HD 4/10表5打开/关闭(感性负载)表6开关能量(感性负载)表7集电极发射极二极管 (1)最大脉冲宽度结温 (2)Eon是图2中测试电路中使用典型二极管时的导通损耗,包括二极管恢复能量.如果 IGBT采用共同二极管封装,共用二极管作为外部二极管. IGBT和二极管在相同的温度(25°C和125°C) (3)关断损耗还包括集电极电流的尾部符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 t d(on) t r (di / dt)开启延迟时间当前上升时间开启电流斜坡 V CC = 480V,I C = 6A R G =10Ω,V GE = 15V,T j = 125℃ (见图3) 15 48 160 NS NS A /μs的 t c t r (V off ) t d ( 关闭 ) t f交叉时间关闭电压上升时间关闭延迟时间当前下降时间 V cc = 480V,I C = 6A, R GE =10Ω,V GE = 15V,Tj = 25℃ (见图3) 85 20 75 70 NS NS NS t c t r (V off ) t d ( 关闭 ) t f交叉时间关闭电压上升时间关闭延迟时间当前下降时间 V cc = 480V,I C = 6A, R GE =10Ω,V GE = 15V,Tj = 125℃ (见图3) 150 50 110 110 NS NS NS符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 Eon注2 E关注 3 E ts导通开关损耗关闭开关损耗总切换损失 V cc = 480V,I C = 6A, R GE =10Ω,V GE = 15V,Tj = 25℃ (见图3) 150 85 235 μJ μJ μJ Eon注2 E关注 3 E ts导通开关损耗关闭开关损耗总切换损失 V cc = 480V,I C = 6A, R GE =10Ω,V GE = 15V,Tj = 125℃ (见图3) 185 220 405 μJ μJ μJ符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 V f正向导通如果= 6A If = 6A,Tj = 125°C 1.8 1.4 2.2 V V 我 f 我 fm正向电流正向电流脉冲 6 48一个一个 t rr Q rr 我是反向恢复时间反向恢复费用反向恢复电流 如果= 6A,V R = 200V, T j = 125℃
STGB6NB60HD关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*STGB6NB60HD中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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