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集成电路/STGB7NB60FD
商品型号:STGB7NB60FD

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品牌:ST(意法半导体)
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  • 商品名称:STGB7NB60FD
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    STGB7NB60FD

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181407219
  • 商品重量:0.000100kg
STGB7NB60FD中文资料
STGB7NB60FD中文资料第3页精选内容: 3/11 STGP7NB60FD - STGB7NB60FD电气特性(续)动态打开正在关掉收集器发射二极管注意:1.脉冲:脉冲持续时间= 300μs,占空比1.5%. 2.脉冲宽度限制最大.结温. (**)损失还包括尾巴(Jedec标准化)符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 g fs (1)正向跨导 V CE = 25V,Ic = 7A 6S C ies输入电容 V CE = 25V,f = 1MHz,V GE = 0 540 pF的 C oes输出电容 80 pF的 C res反向传输电容 13 pF的 Q g Q ge Q gc总门电荷门发射器充电门收藏家收费 V CE = 480V,I C = 7 A, V GE = 15V 37 4 18 50 NC NC NC 我 CL锁存电流 V 钳 = 480 V Tj = 125℃,R G =10Ω 28一个符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 t d(on) t r开启延迟时间上升时间 V CC = 480V,I C = 7AR G =10Ω, V GE = 15V 17 6 NS NS (di / dt)宙开启电流斜坡导通开关损耗 V CC = 480 V,I C = 7 AR G =10Ω V GE = 15V,Tj = 125℃ 890 59 A /μs的 μJ符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 t c交叉时间 V cc = 480V,I C = 7 A, R G =10Ω,V GE = 15V 190 NS t r (V off )关闭电压上升时间 45 NS t d ( 关闭 )延迟时间 107 NS t f下降时间 140 NS E 关 (**)关闭开关损耗 240 μJ E ts总的开关损耗 300 μJ t c交叉时间 V cc = 480V,I C = 7 A, R G =10Ω,V GE = 15V Tj = 125℃ 410 NS t r (V off )关闭电压上升时间 195 NS t d ( 关闭 )延迟时间 204 NS t f下降时间 650 NS E 关 (**)关闭开关损耗 565 μJ E ts总的开关损耗 625 μJ符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 我 f 我 fm正向电流正向电流脉冲 7 56一个一个 V f正向导通 我 f = 3.5 A. I f = 3.5 A,T j = 125℃ 1.4 1.1 1.9 V V t rr Q rr 我是反向恢复
STGB7NB60FD关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*STGB7NB60FD中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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