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集成电路/STGP19NC60WD
商品型号:STGP19NC60WD

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品牌:ST(意法半导体)
封装:-
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  • 商品名称:STGP19NC60WD
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    STGP19NC60WD

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181407516
  • 商品重量:0.000100kg
STGP19NC60WD中文资料
STGP19NC60WD中文资料第5页精选内容: STGP19NC60WD - STGW19NC60WD电气特性 5/15表5打开/关闭(感性负载)符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 t d(on) t r (di / dt)开启延迟时间目前上涨时间开启电流斜率 V CC = 390V,I C = 12A R G =10Ω,V GE = 15V,图17 25 7 1600 NS NS A /μs的 t d(on) t r (di / dt)开启延迟时间目前上涨时间开启电流斜率 V CC = 390V,I C = 12A R G =10Ω,V GE = 15V, Tj = 125℃图17 25 8 1400 NS NS A /μs的 t r (V off ) t d ( 关闭 ) t f关电压上升时间关闭延迟时间当前下降时间 V CC = 390V,I C = 12A R G =10Ω,V GE = 15V,图17 22 90 43 NS NS NS t r (V off ) t d ( 关闭 ) t f关电压上升时间关闭延迟时间当前下降时间 V CC = 390V,I C = 12A R G =10Ω,V GE = 15V, Tj = 125℃图17 47 127 77 NS NS NS表6开关能量(感性负载)符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 E 上 (1) E 关闭 (2) E ts 1. Eon是在图15中的测试电路中使用典型二极管时的导通损耗.如果提供了IGBT在包含二极管的封装中,辅助二极管被用作外部二极管. IGBT和二极管在相同的温度(25°C和125°C) 2.关断损耗还包括集电极电流的尾部导通开关损耗关闭开关损耗总切换损失 V CC = 390V,I C = 12A R G =10Ω,V GE = 15V,图17 81 125 206 μJ μJ μJ E 上 (1) E 关闭 (2) E ts导通开关损耗关闭开关损耗总切换损失 V CC = 390V,I C = 12A R G =10Ω,V GE = 15V, Tj = 125℃图17 161 255 416 μJ μJ μJ
STGP19NC60WD关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*STGP19NC60WD中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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