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集成电路/STL23NM60ND
商品型号:STL23NM60ND

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品牌:ST(意法半导体)
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  • 商品名称:STL23NM60ND
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    STL23NM60ND

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181407647
  • 商品重量:0.000100kg
STL23NM60ND中文资料
STL23NM60ND中文资料第3页精选内容: STL23NM60ND电气额定值 Doc ID 17439 Rev 1 3/11 1电气额定值表2绝对最大额定值符号参数值单元 V DS 漏源电压(V GS = 0) 600 V V GS栅源电压 ±25 V 我 D (1) 1. 该值根据R thj-case进行 评分 T C = 25°C时的 漏极电流(连续) 19.5一个 我 D (1) T C = 100°C时的 漏极电流(连续) 11.7一个 我 DM (1),(2) 2.脉冲宽度受安全操作区域限制漏极电流(脉冲) 78一个 我 D (3) 3.当安装在英寸2,2盎司铜的FR-4板上时 T C = 25°C时的 漏极电流(连续) 2.75一个 我 D (3) T C = 100°C时的 漏极电流(连续) 1.75一个 我 DM (2),(3)漏极电流(脉冲) 11一个 P TOT (3) T C = 25°C时的 总耗散 (稳定状态) 150 w ^ P TOT (1) T C = 25°C时的 总耗散 (稳定状态) 3 w ^ 我 AR雪崩电流,重复或不 - 重复(脉冲宽度由T j max 限制 ) 9A E AS单脉冲雪崩能量 (从T j = 25℃ 开始 ,I D = I AR ,V DD = 50V) 700兆焦耳 dv / dt (4) 4. I SD≤19.5 A,di / dt≤400 A /μs,V 峰值 <V (BR)DSS峰值二极管恢复电压斜率 40 V / NS T stg储存温度 - 55至150 C T j最大.工作结温 150 C表3.热数据符号参数值单元 R thj-case 热阻 结壳 最大 0.83 °C / W R thj-amb (1) 1.当安装在1英寸2 FR-4板上时,2盎司铜热阻结-amb最大 45 °C / W T l焊接的最高铅温度目的 300 C
STL23NM60ND关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*STL23NM60ND中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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