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晶体管/场效应管(MOSFET)/STL26NM60N

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  • STL26NM60N
    在售
    PowerFlat?(8x8)HV
    STL26NM60NDATASHEET
    STM181407646
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 ST(意法半导体)
    封装 PowerFlat?(8x8)HV
    包装 圆盘
    FET类型 N通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 600V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 2.7A(Ta),19A(Tc)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 185毫欧@10A,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 5V@250μA
    Vgs(最大值) ±30V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF@50V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 125mW(Ta),3W(Tc)
    工作温度 150℃(TJ)
    基本产品编号 STL26
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 60nC@10V
    HTSUS 8541.29.0095
    ECCN EAR99
    REACH状态 非REACH产品
    湿气敏感性等级(MSL) 3(168小时)
    RoHS状态 符合ROHS3规范
    安装类型 表面贴装型
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    产品状态:在售
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