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集成电路/STM32F103R8T6TR
商品型号:STM32F103R8T6TR

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品牌:ST(意法半导体)
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  • 商品名称:STM32F103R8T6TR
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    STM32F103R8T6TR

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181409215
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STM32F103R8T6TR中文资料
STM32F103R8T6TR中文资料第50页精选内容:电气特性 STM32F103x8,STM32F103xB 50/92文件ID 13587修订版11 对于C L1 和C L2 ,推荐使用高质量的外置陶瓷电容器 5 pF至25 pF范围(典型值),专为高频应用而设计,并选择匹配 晶体或谐振器的要求(见图22). C L1 和C L2 通常是相同的尺寸.晶体制造商通常会指定一个负载电容, C L1 和C L2的 串联组合 . 必须包含PCB和MCU引脚电容(10 pF可以用来粗略估计组合的引脚和电路板电容) C L1 和C L2 . 请参考应用笔记AN2867“ST的振荡器设计指南”微控制器“可从ST网站www.st.com获得.图22.典型的8 MHz晶体应用 1. R EXT 值取决于晶体特性.由晶体/陶瓷谐振器产生的低速外部时钟低速外部(LSE)时钟可以提供一个32.768 kHz晶体/陶瓷谐振器.本段中的所有信息都是基于特征的使用表23中指定的典型外部组件获得的结果.在应用程序中,谐振器和负载电容必须尽可能靠近振荡器放置以减少输出失真和启动稳定时间.参考水晶谐振器制造商更多关于谐振器特性(频率,包裹,准确性).表22 HSE 4-16 MHz振荡器特性 (1)(2) 1.由晶体/陶瓷谐振器制造商给出的谐振器特性. 2.基于特性描述,未经生产测试.符号参数条件敏典型马克斯单元 f OSC_IN振荡器频率 4 8 16兆赫 R F反馈电阻 200 ? ? C推荐的负载电容对等系列 晶体的电阻(R S ) (3) 3.射频电阻的相对较低的值提供了一个很好的保护,防止因使用a而产生的问题潮湿的环境中,由于诱发泄漏和偏差情况的变化.但是,这是如果MCU在恶劣的湿度条件下使用,建议考虑这一点. R S = 30?三十 pF的 我 2 HSE驱动电流 V DD = 3.3V,V IN = V SS 30 pF负载 1毫安 克米振荡器跨导启动 25毫安/ V 苏(HSE (4) 4. SU(HSE) 是从启用(通过软件)到稳定的8 MHz的时刻测量的启动时间振荡达到.这个值是测量一个标准的晶体谐振器,它可
STM32F103R8T6TR关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*STM32F103R8T6TR中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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