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MOS(场效应管)/STP5NK80ZFP
商品型号:STP5NK80ZFP PDF数据手册)

参考起售量(pcs)参考价格
1~49个¥3.89/个
50~99个¥3.29/个
100~499个¥3.08/个
500 个以上¥2.99/个
品牌:ST(意法半导体)
封装:TO-220F
货期:1天
已售出: 8320个
库存数量:0 个(可订货)

  • 商品名称:STP5NK80ZFP
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    STP5NK80ZFP

  • 封装规格:TO-220F
  • 商品编号:SL00027
  • 商品重量:0.000100kg
STP5NK80ZFP中文资料
STP5NK80ZFP中文资料第4页精选内容:电气额定值 STP5NK80Z - STP5NK80ZFP 4/15 1.1栅源齐纳二极管的保护功能内置的背靠背齐纳二极管专门设计用于不仅提高该器件的ESD能力,同时也使其能够安全地吸收可能的瞬态电压这可能偶尔会从门到源应用.在这方面,齐纳电压是适当地实现有效和有成本效益的干预来保护设备完整性.这些集成齐纳二极管避免了外部元件的使用.表3.雪崩特征符号参数值单元 我 AR雪崩电流,重复或不重复 (脉宽由Tj Max限制) 4.3一个 E AS单脉冲雪崩能量 (开始Tj = 25℃,Id = Iar,Vdd = 50V) 190兆焦耳表4门源齐纳二极管符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 BV GSO栅极击穿电压Igs =±1mA(漏极开路)三十 V
STP5NK80ZFP关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*STP5NK80ZFP中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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