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集成电路/STPS10L40C
商品型号:STPS10L40C

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品牌:ST(意法半导体)
封装:-
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  • 商品名称:STPS10L40C
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    STPS10L40C

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181410626
  • 商品重量:0.000100kg
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STPS10L40C中文资料
STPS10L40C中文资料第2页精选内容:特点 STPS10L40C 2/9 1特点当二极管1和2同时使用时: ΔTj(二极管1)= P(二极管1)×R th(jc) (每个二极管)+ P(二极管2)×R th(c) .要评估传导损耗,请使用以下公式: P = 0.33×I F(AV) + 0.026 I F 2 (RMS)表格1.绝对额定值(极限值)符号参数值单元 V RRM重复的峰值反向电压 40 V I F(RMS) RMS正向电压 20一个 我 (AV)平均前进当前 TO-220AB D 2 PAK Tc = 135℃ δ= 0.5每个二极管每个设备五 10一个 TO-220FPAB T c = 140℃ δ= 0.5每个二极管每个设备五 10一个 我 FSM浪涌不重复正向电流 t p = 10 ms正弦曲线 150一个 我 RRM重复峰值反向电流 t p =2μs平方F = 1kHz 1一个 我 RSM不重复的峰值反向电流 t p =100μs平方 2一个 P ARM重复峰值雪崩功率 t p =1μsT j = 25℃ 2700 w ^ T stg存储温度范围 -65到+ 150 C T j 最高工作结温 (1) 1.以避免散热器上的二极管发生热失控 150 C的dV / dt临界反向电压上升率 10000 V /μs的表2热阻符号参数值单元 R th(jc)交界处的情况 TO-220AB / D 2 PAK每个二极管总 3 1.7 °C / W R th(c)耦合 0.35 R th(jc)交界处的情况 TO-220FPAB每个二极管总五 3.8 °C / W R th(c )耦合 2.5表3.静电特性(每个二极管)符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 我 R (1) 1.脉冲测试:tp = 380μs, δ<2%反向漏电流 T j = 25℃ V R = V RRM 0.2嘛 T j = 100℃ 8 25嘛 VF (1)正向压降 T j = 25℃ 我 F = 5 A. 0.53 V T j = 100℃ 我 F = 5 A. 0.36 0.46 T j = 25℃ 我 F = 10 A. 0.67 T j = 125℃ 我 F = 10 A. 0.49 0.59 dPtot DTJ --------------- 1 Rth j一个 - () ---------------------
STPS10L40C关联型号
机译版中文资料(1/9) 英文原版数据手册(1/9)

*STPS10L40C中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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