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集成电路/STPS10M80CG-TR
商品型号:STPS10M80CG-TR

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品牌:ST(意法半导体)
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  • 商品名称:STPS10M80CG-TR
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    STPS10M80CG-TR

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181405669
  • 商品重量:0.000100kg
STPS10M80CG-TR中文资料
STPS10M80CG-TR中文资料第3页精选内容: STPS10M80C特点文件ID 018734修订版1 3/11要评估传导损耗,请使用以下公式: P = 0.475×I F(AV) + 0.023×I F 2 (RMS)表4静电特性(每个二极管)符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 我 R (1)反向漏电流 T j = 25℃ V R = V RRM - 4 20 μA T j = 125℃ - 3.5 15嘛 V F (2)正向压降 T j = 25℃ I F = 2.5 A - 0.540 0.580 V T j = 125℃ - 0.465 0.495 T j = 25℃ 我 F = 5 A. - 0.640 0.705 T j = 125℃ - 0.550 0.590 T j = 25℃ 我 F = 10 A. - 0.775 0.850 T j = 125℃ - 0.635 0.705 1. 脉冲测试:t p = 5ms,δ<2% 2. 脉冲测试:t p = 380μs,δ<2%图2平均前向功耗与平均正向电流 (每个二极管)图3.平均正向电流与环境温度 ( δ= 0.5,每个二极管) 0 1 2 3 4五 0 1 2 3456 7 δ=0.05δ=0.1δ= 0.2 δ= 0.5 δ= 1 ? δ= t / T p ? p一世 (一个) F(AV) P (W) F(AV) 0 1 2 3 4五 6 0 25 50 75 100 125 150 175一世 (一个) F(AV) Rth(ja)= Rth(jc) TO-220AB / I PAK / D PAK 22 TO-220FPAB ? (C) AMB图4.规范化的雪崩能量降额与脉冲持续时间图5规范化的雪崩能量降低与交汇点温度 0.001 0.01 0.1 0.01 1 0.1 10 100 1000 1 P(TP) P (为1μs)臂臂 t(μs) p 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 25 50 75 100 125 150 P(T) P (25℃)臂 ?臂 T(°C) ?
STPS10M80CG-TR关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*STPS10M80CG-TR中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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