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集成电路/STPS20M100S
商品型号:STPS20M100S

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品牌:ST(意法半导体)
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  • 商品名称:STPS20M100S
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    STPS20M100S

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181405664
  • 商品重量:0.000100kg
STPS20M100S中文资料
STPS20M100S中文资料第2页精选内容:特点 STPS20M100S 2/11 Doc ID 15521 Rev 2 1特点要评估传导损耗,请使用以下公式: P = 0.425×I F(AV) + 0.0088×I F 2 (RMS)表2绝对额定值(端子1和3短路时的极限值)符号参数值单元 V RRM重复的峰值反向电压 100 V I F(RMS)正向电流有效值三十一个 我 (AV)平均正向电流 δ= 0.5 TO-220AB,D 2 PAK,I 2 PAK,T c = 130℃ 20一个 TO-220FPAB,T c = 85℃ 我 FSM浪涌不重复正向电流 t p = 10ms正弦曲线,端子1和3短路 530一个 P ARM (1)重复峰值雪崩功率 t p =1μsT j = 25℃ 16000 w ^ V ARM (2)最大重复峰值雪崩电压 t p <1微秒T j <150℃ 我 AR <40 A. 120 V V ASM (2)最大单脉冲峰值雪崩电压 t p <1微秒T j <150℃ 我 AR <40 A. 120 V T stg存储温度范围 -65到+ 175 C T j 最高工作结温 (3) 150 C 1.有关温度或脉冲持续时间的降额,请参阅图4.和图5.有关雪崩的更多详细信息在应用笔记AN1768和AN2025中提供了雪崩能量测量和二极管验证. 2.参考图14 3.以避免散热器上的二极管发生热失控 dPtot DTJ --------------- 1 Rth j一个 - () -------------------------- <表3.热阻符号参数值单元 R th(jc)交界处的情况 TO-220AB,D 2 PAK,I 2 PAK 1.2 °C / W TO-220FPAB 4表4静电特性(端子1和3短路)符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 我 R (1)反向漏电流 T j = 25℃ V R = 70V 5μA T j = 125℃五嘛 T j = 25℃ V R = 100V 10 40 μA T j = 125℃ 10 40嘛 V F (2)正向压降 T j = 25℃ 我 F = 5 A. 550毫伏 T j = 125℃ 455 T j = 25℃ 我 F = 10A 660 730 T j = 125℃ 5
STPS20M100S关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*STPS20M100S中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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