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集成电路/STPS20M60CT
商品型号:STPS20M60CT

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品牌:ST(意法半导体)
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  • 商品名称:STPS20M60CT
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    STPS20M60CT

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181405709
  • 商品重量:0.000100kg
STPS20M60CT中文资料
STPS20M60CT中文资料第2页精选内容:特点 STPS20M60C 2/10 Doc ID 022057 Rev 1 1特点当两个二极管1和2同时使用时: (二极管1)= P(二极管1)×R th(jc) (每个二极管)+ P(二极管2)×R th(c)表2 绝对额定值(限值,每个二极管,在T amb = 25°C除非另有规定)参数值单元 V RRM重复的峰值反向电压 60 V I F(RMS) 正向均方根电流 40一个 我 (AV)平均正向电流, δ= 0.5 T c = 140℃ T c = 135℃每个二极管每个设备 10 20一个 我 FSM浪涌不重复正向电流 t p = 10 ms正弦曲线 300一个 P ARM (1) 1.对于温度或脉冲持续时间降额,请参阅图4和图5.有关详细信息在应用中提供雪崩能量测量和雪崩二极管验证注释AN1768和AN2025.重复峰值雪崩功率 T j = 25℃,t p =1μs 13600 w ^ V ARM (2) 2.见图12最大重复峰值雪崩电压 t p <1μs,T j <150℃,I AR <51A 80 V VASM (2)最大单脉冲峰值雪崩电压 t p <1μs,T j <150℃,I AR <51A 80 V T stg存储温度范围 -65到+175 C T j 最高工作结温 (3) 3.以避免散热器上的二极管发生热失控 150 C表3.热参数符号参数值单元 R th(jc)交界处的情况每个二极管 1.5 °C / W总 0.85 R th(c)耦合 0.2 °C / W dPtot DTJ < 1 RTH(JA)
STPS20M60CT关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*STPS20M60CT中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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