返回顶部

集成电路/STPS2530CG
商品型号:STPS2530CG

参考起售量(pcs)参考价格
1 个以上¥95/个
品牌:ST(意法半导体)
封装:-
货期:1天
已售出: 0个
库存数量:0 个(可订货)

  • 商品名称:STPS2530CG
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    STPS2530CG

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181410594
  • 商品重量:0.000100kg
STPS2530CG中文资料
STPS2530CG中文资料第2页精选内容:过时的产物(S) - 已经过时产物(S) STPS2530C 2/5表4:热参数表5:静态电气特性(每个二极管)脉冲测试: * tp = 5毫秒, δ <2% ** tp = 380μs, δ <2%为了评估传导损耗,使用以下等式:P = 0.31×IF(AV)+ 0.0112IF 2 (RMS)符号参数值单元 R th(jc)交界处的情况每个二极管总 2.2 1.3 °C / W R th(c)耦合 0.3当二极管1和2同时使用时: (二极管1)= P(二极管1)×Rth(jc)(每个二极管)+ P(二极管2)×Rth(c)符号参数测试条件闵.典型最大.单元 我 R *反向漏电流 T j = 25℃ V R = V RRM 0.15 1.0嘛 T j = 125℃ 80 160 V F **正向压降 T j = 25℃ 我 F = 12.5A 0.47 0.53 V T j = 125℃ 0.39 0.45 T j = 25℃ 我 F = 25A 0.54 0.64 T j = 125℃ 0.49 0.59图1:传导损耗与平均值当前图2:平均正向电流与环境温度( δ= 0.5,每个二极管)数字 3:归雪崩功率降额与脉冲持续时间数字 4:归雪崩功率降低与结温的关系 0 1 2 3 4五 6 0 1 2 3 4五 6 7 8 9 10 11 12 13 P (W) F(AV) ? δ = tp / T TP一世 (一个) F(AV) δ= 1 δ= 0.05 δ= 0.1 δ= 0.2 δ= 0.5一世 (一个) F(AV) 0 1 2 3 4五 6 7 8 9 10 11 0 25 50 75 100 125 150 ? (C) AMB [R = 50℃/ W第(JA) R = R第(JA)第(JC) 0.001 0.01 0.1 0.01 1 0.1 10 100 1000 1 t(μs) p P(t) P (为1μs) ARM p臂 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 25 50 75 100 125 150 T(°C) ? P(t) P (25℃) ARM p臂
STPS2530CG关联型号
机译版中文资料(1/5) 英文原版数据手册(1/5)

*STPS2530CG中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

共5页,到第