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集成电路/STPS30M60S
商品型号:STPS30M60S

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品牌:ST(意法半导体)
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  • 商品名称:STPS30M60S
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    STPS30M60S

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181405639
  • 商品重量:0.000100kg
STPS30M60S中文资料
STPS30M60S中文资料第2页精选内容:特点 STPS30M60S 2/9 Doc ID 022049 Rev 1 1特点要评估传导损耗,请使用以下公式: P = 0.395×I F(AV) + 0.0047×I F 2 (RMS)表2绝对额定值(端子1和端子3短路时的极限值) 25°C,除非另有说明)符号参数值单元 V RRM重复的峰值反向电压 60 V I F(RMS) 正向均方根电流 90一个 我 (AV)平均正向电流, δ= 0.5 T c = 130°C每个包装三十一个 我 FSM浪涌不重复正向电流 t p = 10 ms正弦波 600一个 P ARM (1) 1.对于温度或脉冲持续时间降额,请参阅图4和图5.有关详细信息在应用中提供雪崩能量测量和雪崩二极管验证注释AN1768和AN2025.重复峰值雪崩功率 T j = 25℃,t p =1μs 34400 w ^ V ARM (2) 2.见图12最大重复峰值雪崩电压 t p <1μs,T j <150℃,I AR <129A 80 V VASM (2)最大单脉冲峰值雪崩电压 t p <1μs,T j <150℃,I AR <129A 80 V T stg存储温度范围 -65到+175 C T j 最高工作结温 (3) 3.以避免散热器上的二极管发生热失控 150 C表3.热阻符号参数值单元 R th(jc)交界处的情况 0.9 °C / W表4静电特性(端子1和3短路)符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 我 R (1) 1. 脉冲测试:t p = 5ms,δ<2%反向泄漏当前 T j = 25℃ V R = V RM - 35 165 μA T j = 125℃ - 25 100嘛 V F (2) 2. 脉冲测试:t p = 380μs,δ<2%正向压降 T j = 25℃ 我 F = 15 A. - 0.475 0.515 V T j = 125℃ - 0.380 0.425 T j = 25℃ 我 F = 30 A. - 0.540 0.590 T j = 125℃ - 0.470 0.535 dPtot DTJ < 1 RTH(JA)
STPS30M60S关联型号
机译版中文资料(1/9) 英文原版数据手册(1/9)

*STPS30M60S中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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